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第一章 晶体二极管及其应用;第二章 双极型晶体三极管(BJT);放大电路的微变(交流)等效电路（小信号模型）;对于小功率三极管(重点) P61 2.42更正：rbe=rbb’+(1+ ? ) VT/IEQ =rbb’+VT/IBQ (静态工作点) rbb,=200/300欧 VT=26mV(常温下）; 第三章 晶体管放大电路基础(全书重点） 3.1 放大电路的工作原理及分析方法 3.2 BJT偏置电路 （直流通路：提供合适的静态工作点Q 点，保证BJT发射结正偏，集电结反偏，放大信号始终处在放大工作区，避免出现截止及饱和失真。介绍固定基流电路， 基极分压射极偏置电路） ; 第三章 晶体管放大电路基础(全书重点） 3.3 放大电路的技术指标及基本放大电路 本节讨论小信号放大器的基本指标:电压放大倍数（电压增益），源电压放大倍数（源电压增益），交流输入电阻，交流输出电阻，功率增益等； 第五章将讨论大信号放大器的非线性失真，输出功率和效率等指标； 第六章将讨论放大器的上，下限频率，通频带，频率失真等频率指标；基本放大电路：共射，共基，共集。 3.4 多极放大电路（自学）;三种组态电路性能比较（见书，记忆）;三种组态电路的应用;;场效应管概述; 场效应管的交流参数和小信号模型;1．跨导 gm 设MOSFET工作于放大区,定义: ;2. 漏极内阻(交流输出电阻)rds 定义: ;学习方法： 学习本章内容时，应特别注意使用比较和归纳的方法： .与三极管及其放大电路进行比较（两种管子的结构、工作原理、外特性、主要参数、小信号模型等的比较；两种器件组成的放大电路的直流偏置电路及静态、动态分析方法的比较；共射与共源、共集与共漏等放大电路性能的比较）。 重点掌握: N沟道增强型MOSFET (集成电路中广泛运用). ;MOSFET分析方法(通用);双极型和场效应型三极管的比较;双极型和场效应型三极管的比较(续); 第六章 模拟集成单元电路 ;集成运放基本组成 集成运放的内部组成框图如图所示，它主要由输入级、中间级、输出级和偏置电路组成的。 ;输入级：是提高运算放大器质量的关键部分。 要求：输入电阻高，能减少零漂和抑制干扰信号。 电路形式：采用具有恒流的差动放大电路，降低零漂，提高KCMR。并且通常在低电流状态，以获得较高的输入阻抗。 ; 中间级：进行电压放大，获得运放的总增益。 要求：Au高，同时向输出级提供较大的推动电流。 电路形式：带有恒流源负载的共射电路，Au高达几千倍以上。; 输出级：与负载相接。 要求：其输出电阻低，带负载能力强，能输出足够大的电压和电流，并有过载保护措施。 电路形式：一般由互补对称电路或射极输出器构成。 ; 偏置电路：为上述各级电路提供稳定和合适的偏置电流，决定各级的静态工作点，也可以作为有源负载提高电压增益，输入级设置一个电流值低而又十分稳定的偏置电流。 电路形式：各种恒流源组成。 ;.差动放大器的输入输出方式; (1)差模电压放大倍数; (3)差模输入电阻;(5)共模抑制比;例： 扩音系统;6.7.1 功放的特点及分类;; 根据偏置条件不同，或者说 Q 点的位置不同，可以用甲类、乙类、甲乙类等来描述放大器的工作状态。 甲 类：整个周期有电流； 失真小，但效率低，应用少。 乙 类：一半时间无电流； 效率高，但有交越失真,应用:对失真要求不高时。 甲乙类：少半时间无电流； 效率高，可以消除交越失真,应用:较多。 ;? 1. 电路工作原理;;3. 甲乙类功放;　 第七章　负反馈技术 　(重点) §本章主要内容 一、单环理想模型（A放大器、B反馈网络） 二、反馈放大器类型及极性的判断 三、负反馈的效果 四、A、B电路分析法和深负反馈条件下的计算 五、负反馈放大器的稳定性;放大器;1.　稳定增益。 2.　减小非线形失真。 3.　扩展通频带。 4.　降低噪声的影响。 5.　调节输入和输出阻抗。 6.　稳定静态工作点。 7.　增益的大小基本与放大器内部元件无关，从而简化放大器的分析与设计。 ;7.1 　通用反馈结构 一、反馈的组成和基本信号(P305);（根据取样/比较的形式）7-3 反馈类型及其判断; 四种类型的反馈阻态;负反馈;估算输入输出电阻;补充：为改善性能引