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w20090391
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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!# 基异质结缓冲层漏电分析!
张进城! 董作典 秦雪雪 郑鹏天 刘林杰 郝 跃
(西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 #$$#)
(%$$ 年 月 #’ 日收到;%$$ 年 ( 月 #( 日收到修改稿)
通过对 )*+ 基异质结材料 !, 特性中耗尽电容的比较,得出 -.)*+/)*+ 异质结缓冲层漏电与成核层的关系 0
实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温 )*+ 成核层和 123 衬底高温 -.+ 成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温
-.+ 成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低 0 深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的 )*+ 缓
冲层中具有高浓度的 4 型 )*+ 导电层,而基于厚成核层的异质结材料的 )*+ 缓冲层则呈高阻特性 0 )*+ 缓冲层中
的 4 型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低 )*+ 缓冲层的背景载流子
浓度,提高 )*+ 缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电 0
关键词:-.)*+/)*+ 异质结,)*+ 缓冲层,漏电,成核层
$%:%$5,67$8,6’$8
的寿命降低 0 为了降低穿透位错密度,提高 )*+ 缓
#D 引 言 冲层的晶体质量,研究人员采取了多种方法,有的依
靠改善成核层的尺寸和密度来控制缓冲层的高阻特
近年来, 基半导体因其宽禁带( )、高 [ — ]
)*+ 6D7 BE 性 ( ## ,有的通过 )*+ 微结构调制外延层电阻率和
临界击穿场强( )、高载流子饱和速率(
6FE/;9 %D [ ]
杂质控制 #% ,提高 J5FK 的器件特性,补偿背景施
G #$ ;9/H)、高热导率和高化学稳定性等优越物化
主浓度,从而实现 )*+ 缓冲层高阻特性,达到提高
性质而 备 受 关 注 0 在 )*+ 基 半 导 体 材 料 体 系 中,
器件夹断特性的目的 近来也有很多研究者
-.)*+/)*+ 异质结构材料不仅具有上述优越物化性 J5FK 0
[ ]
质,而且因为强极化效应的存在 # ,在该异质
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