器件新进展课堂笔记.doc

考试题目 从以下题目中任选一题或自拟题目 石墨烯晶体的电子性质 石墨烯制备技术 石墨烯应用 石墨烯器件 如：石墨烯场效应管；石墨烯纳米带场效应管（SET）；石墨烯单电子晶体管； 石墨烯金属晶体管；石墨烯基纳米电子机械系统（NEMS）；石墨烯分子开关以及石墨烯基高电子迁移率晶体管（HEMT） 考试形式 论文格式 论文写作格式 题目（小二，黑体，居中） 作者姓名（五号，居中） 通讯地址（五号，居中） 摘要：包括研究目的，意义，方法，结果和结论 一、引言（发展历史，存在问题，引出内容以及所解决的问题） 二、原理 三、讨论 四、结论 参考文献（序号、作者姓名、论文题目、期刊名、年、期（卷）：页码） 致谢（可以不写） 半导体异质结 半导体异质结的能带结构 Si/Si1-xGex异质结 Si1-xGex异质结的基本特性 1.1半导体异质结的能带结构 异质结能带突变形式： A.交叉配?? B.错开配置 C.分裂配置 异质结能带图：（略） 考虑界面态时的异质结能带图：（略） 加偏压是的异质结能带图：（略） 1.2 SixGex Si1-xGex合金禁带宽度与x的关系 由光吸收实验给出 曲线1：无应变合金，Ge含量值达到85%，合金的Eg变化不到0.2eV，仍然表示出Si一样的特性。 曲线2：曲线3有应变合金（在Si上生长SiGe合金即属于此） 曲线2：相应于轻空穴带 曲线3：相应于重空穴带 不同衬底上的Si1-xGex合金的Eg Si1-xGex合金的空穴迁移率与组分x的关系 曲线1平行于薄膜表面方向的迁移率分量；2垂直于————；3不存在应变的块状合金的情况 Si1-xGex异质结基本特性： 合金常数a，a(Si)a(Ge) 晶格失陪率：4.17% 在衬底上生长合金膜的两种结果： 无应变Si1-xGex合金 衬底Si 非赝品 赝品（希望长成的样子） Si1-xGex赝晶膜生长的临界厚度与Ge含量的关系 第二章 异质结双极晶体管 一、HBT 二、SiGe HBT 三、GaAs HBT 四、InP HBT 五、其他结构 2.1HBT基本工作原理 BJT基本工作原理（见器件原理！！~） Early电压 放大倍数表达式 发射区宽禁带 基区窄禁带 解决方案 ※※空穴越过的势垒宽度要大于电子越过的势垒宽度