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CVD与新材料讲学0911
化学气相淀积与无机新材料Chemical Vapor Deposition (CVD) Inorganic New Materials ; 大家来回答:1。在我们这个以高技术为特色新时代 什么是“高技术”的典型代表?2。这类高技术的核心是什么?3。 制备这些新材料与高技术器件的关键 技术是什么?;;氯硅烷氢还原法:SiHCl3 + H2 = Si+3HCl 硅烷热解法:SiH4 → Si + H2(1970-71);气相外延法制备GaN单晶薄膜与发光器件(中科院吉林物理所与中国科大合作项目,1976); 化学气相淀积(CVD):概念及其基本特点; CVD 与 新材料; CVD 与高新技术; 中国科技大学国体化学与无机膜研究所 研制经历(研究课题);CVD学科领域的形成与成长 -20世纪70-80年代;化学气相淀积的一般化学原理和和技术;CVD的化学反应体系 - 热解反应;CVD的化学反应体系-热解反应(续);2。1 CVD的化学反应体系-热解反应续); CVD反应体系-化学合成反应;化学合成反应示例_同一材料有多种合成路线; CVD反应体系-化学输运反应;薄膜生长;气相外延砷化镓单晶薄膜;MOCVD Growth;;;;Low-Pressure CVD System;Plasma-Enhanced CVD;ECR-CVD(ECR: electron cyclotron resonance);MBE Growth;(a) phosphoric anhydride, (b) sodium hydrate particle, (c) ball valve, (d) flowmeter, (e) spongy titanium, (f) aluminum chloride (purity 98%), (g) ribbon heater, (h) MoSi2 heater, (i) thermocouple, (j) quartz tube reactor, (k) pressure gauge, (l) vacuum pump, (m) powder collection flask, (n) NaOH solution.;图6-3. 燃烧AACVD装置图;pump;Fig. 3. Schematic illustration of the Single mixed source MOCVD apparatus.
;PECVD (plasma enhanced CVD);LPCVD (low pressure CVD);APCVD (Atmospheric pressure CVD);HC-PCVD化学气相沉积系统;EA-CVD化学气相沉积系统;磁控与离子束复合溅射系统;MW-PCVD化学气相沉积系统;2. The MOVD growth system ;EA-CVD化学气相沉积系统;实验室CVD设备(1);实验室CVD设备(2);实验室CVD设备(3);实验室CVD设备(4); CVD学科与技术;孟广耀编著:化学气相淀积与无机新材料 科学出版社, 北京 1984(1986); 本实验室研究基础和技术性积累;★所涉及的材料体系:III-V族化合物半导体(GaN,AlN)、非晶硅、金刚石、气敏半导体、高温超导体、透氢钯合金膜、氧化物质子导电膜、氧离子传输导电膜、燃料电池部件材料、无机分离膜材料
? 发表CVD方面的研究论文超过80篇,专著1,申报专利3件
? 以CVD为研究课题的研究生约25名,其中博士学位10人
? 研究生课程:CVD化学与薄膜工艺,20余年, 500 人
★与本申请项目直接相关的知识及技术性积累还包括:
等离子体辅助的CVD技术(RF-CVD,微波PCVD,WM-MOCVD)
发展了以金属b-二酮螯合物为前驱物的MOCVD技术,成功制备YBCO超导薄膜,率先申报了专利(专0已授权)
发展了单一固体混合源MOCVD技术(专4,已授权)
发展了气溶胶辅助的CVD 和MOCVD技术(申请1)
自行合成了十多种金属b-二酮螯合物,作为MOCVD前驱物;技术性创新的主要方向:;CVD领域的技术创新、应用 -20世纪80-90年代;R=R’=C(CH3)3
2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮
简称DPM;搅拌,
反应3-4 h;M(DPM)n的表征;Ce(DPM)4, Gd(DPM)3, Y(DPM)3 and Zr(DPM)4
(DPM=2,2,6,6-tetram
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