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电化学工件站简介;主要内容;1. 基本原理和结构;电路原理图;三电极体系;2. 基本应用和测试方法;2.2 常用测试方法 2.2.1 稳态测试方法，包括恒电位极化、动点位扫描、恒电流极化、动电流扫描 2.2.2 暂态电化学测试，包括恒电流阶跃、恒电位阶跃 2.2.3 电分析化学方法，包括线性扫描伏安、循环伏安、方波循环伏安 2.2.4 线性扫描溶出伏安 2.2.5 双恒电位测量 2.2.6 交流阻抗测试，包括阻抗~频率扫描、阻抗~时间扫描、阻抗~电位扫描;Corrtest 软件主界面;3.交流阻抗测试;3.1.2 测量传输函数对系统的要求 1. 因果性 2. 线性 3. 稳定性;3.2 Nyquist图和Bode图 ;3.3 电极过程;3.3.2 锂电池电极过程模型 包括吸附模型和表面层模型 表面层模型;实用化嵌合物电极的嵌锂模型;3.4 EIS的目的和数据处理方法;数据处理方法： 1、已知阻抗谱对应的数学模型或等效电路，可先确定数学物理模型，然后将阻抗??对模型进行曲线拟合，求出数学模型中各参数的参数值。 2、阻抗谱较复杂，首先逐个求解每段所对应的等效元件的参数，从测得的阻抗谱中求出最可能的等效电路，然后将整个阻抗谱所确定的物理模型进行曲线拟合，确定等效元件的参数，该方法称为阻抗谱数据的解析;3.3 等效元器件及其特性;2. 等效电容 3. 等效电感;3.3.3 两个特殊的等效元器件 常相位角元件Q 电双层电容的频响特性和纯电容有或大或小的偏移，称为弥 散效应，该等效元器件用Q表示，其阻纳和相位角的正切分 别为 ;Q有两个参数：一个参数是Y0，其单位是Ω-1 cm-2s-n，取正值； 另一个参数是n，它是无量纲的指数。当n=0时，Q就相当于 电阻，Y0=1/R; 当n=1时，Q就相当于电容，Y0=C,Y=jwC，Z=-j/(wC); 当n=-1时，Q就相当于电感，Y0=1/L,Y=-j/(wL)，Z=-jwL; 当n=0.5时，Q就相当于由半无限扩散引起的韦伯（Warburg）阻抗，Y0=1/L,Y=-j/(wL)，Z=-jwL； 当0.5n1时，Q具有电容性，可替代双电层电容作为界面双电层的等效元件。 ;2. 平面电极的半无限扩散阻抗等效元器件W 半无限扩散：厚度可以近似的认为是无限的滞留层的扩散过 程。电极系统中在恒温静置的溶液中的扩散过程可以近似的 认为是半无限扩散。扩散阻抗的表达式为： 当频率远大于2D/L2时 当频率远小于2D/L2时;3.3.1 电路描述码或CDC（Circuit description code, ） 在偶数组数的括号（包括没有括号的情况）内，各个元件 或复合元件相互串联；在奇数组数的括号内，各个元件或复 合元件相互并联，如下图中的电路和电路描述码。 ;使用锂离子嵌合物电极的EIS应包括6个部分： 1、超高频区（10KHz以上），与锂离子和电子通过电解液、隔膜、导线等有关的欧姆电阻，在EIS上表现为一个点。 2、高频区，与锂离子通过SEI膜有关，表现为一个半圆，此过程可以用电阻R和电容C的并联电路来表示 3、中高频区，与电子在活性物质颗粒中的运输有关，表现为一个半圆，可以用电阻R和电容C的并联电路来表示;4、中频区，与电荷传递过程相关的一个半圆，也可以通过电阻R和电容C的并联电路来表示 5、低频区，为一条与锂离子在活性材料颗粒内部固体扩散有关的斜线，可以用Warburg阻抗Zw来表示。 6、极低频区（0.01Hz），与活性材料晶体结构的改变或新相的生成相关的一个半圆以及锂离子在活性材料中的累计和消耗有关的一条垂线，此过程可以用Rb和Cb的并联电路与Cint组成的串联电路表示Rb和Cb为表征活性材料颗粒本体结构改变的电阻和电容，Cint为表征锂离子在活??材料累计或消耗的嵌入电容。;;3.4 测试过程3.4.1 打开测试方法;3.4.2 设置测试信息;3.4.3 采集数据 ;3.4.4 建立模拟电路;3.4.5 求值;;;;