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集成电路版图的设计的教程1
第九章 版图设计实例 ;主要内容
1. CMOS门电路
2. CMOS RAM单元及阵列
3. CMOS D触发器
4. CMOS放大器
5. 双极集成电路;1. CMOS门电路
(1) 反相器;(2) 异或门;(3)二输入端与门(snd2);(4) 与或非门(AOI);(5) 或与非门（OAI);(6) 全加器;版图 ;2. CMOS RAM单元及阵列
(1）CMOS RAM单元;(2) CMOS RAM阵列;3. CMOS D触发器
(1) 无置位和复位端的D触发器;版图 ;(2) 带置位端的D触发器;4. CMOS放大器; 由于全部电流都要通过输入晶体管中的每一个，例如，有时整个电流完全在M3，当差分信号关断时，M3关断M4接通，整个电流又完全在M4，信号每摆动一次就切换一次，为了承受这一电流，在M3和M4之间的金属线需要达到一定的宽度，采用二条金属线连接M3和M4的源极，并且从M4b和M3b的中间向下，这样，M3导通时电流将通过M3a和M3b，即它的两半把电流向下送到中心导线。;中心区域多晶交叉连接细节图 ; M3和M4的宽长比很大，M3a、M3b、M4a和M4b都采用多管并联的结构。这四个MOS管的源已经连接到Metal1导线，为了避免和Metal1交叉短路, M3和M4的漏极要用Metal2连接。Metal2有很多通孔和很宽的导线，使电流能够顺利通过。;为了实现对称，将M5也分割为M5a和M5b。 ;CMOS放大器的版图 ; 考虑对称性，两个P管只要画一个，另一个通过复制而成。P管制作在N阱中，用N阱接触包围整个器件，并且将电源线和接触合并为一条金属线。在阱外用P衬底接触把P管整个包围起来，然后复制M2管，由于M1和M2之间有衬底接触，它们的电源线就用Metal2连接。两个器件的栅极也用Metal2连接。M1、M2与差分输入对管的连接也用Metal2，并且用衬底接触把整个版图包围。
最后完成的版图，放大器的2个输入从左边进入，2个输出从上方送出。;版图 ;(2) 通用集成运放;版图
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