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硅通孔技术选编
W/B3D封装工艺介绍 ;*;*;*;*;*;*;两种W/B形式大同小异;*;压焊技术的应用;3D封装的优势;*;*;1)通过刻蚀或激光熔化在硅晶体中形成通孔
2)通过PECVD淀积氧化层
3)通过PVD、PECVD或MOCVD工艺淀积金属粘附层／阻挡层／种子层
4)通过电化学反应往通孔中淀积铜金属
5)通过化学机械抛光或研磨和刻蚀工艺去除平坦表面上的铜金属;通孔的形成;激光钻孔;深反应离子刻蚀;阻挡层及种子层金属淀积;*;超薄晶圆减薄技术;晶元化学减薄过程原理;芯片/晶圆叠层键合技术;3D-TSV封装技术典型应用案例;*
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