FD －SOI 的优点及在中国发展的机遇.pdf

第２期 微　处　理　机 Ｎｏ．２ 　 ２０１５ 年４ 月 ＭＩＣＲＯＰＲＯＣＥＳＳＯＲＳ Ａｐｒ．，２０１５　 ·大规模集成电路设计、制造与应用 · ＦＤ－ＳＯＩ 的优点及在中国发展的机遇 １，２ １ 刘忠立 ，赵　凯 （１．中国科学院微电子研究所，北京１０００８３；２．中国科学院半导体研究所，北京１０００２９） 　　摘　要：大多数的电子产品都面临着节能问题，特别是移动电子产品和空间应用，需要集成电 路在低电压和低功耗下工作。体硅，甚至ＰＤ－ＳＯＩ（部分耗尽绝缘体硅）ＣＭＯＳ 电路，在这些方面遇 到很大的挑战。ＦＤ－ＳＯＩ，即全耗尽绝缘体硅技术是一个非常好的选择。当器件特征尺寸缩比到 纳米级时，ＦＤ－ＳＯＩ 的节能优势更加突出。介绍ＦＤ－ＳＯＩ 的优点、应用及在中国发展的机遇。 关键词：全耗尽绝缘体上硅技术；节能；低功耗；低电压；特征尺寸；缩比 ＤＯＩ编码：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００２ －２２７９．２０１５．０２．００１ 中图分类号：ＴＮ４３２　 　文献标识码：Ａ　 　文章编号：１００２ －２２７９（２０１５）０２ －０００１ －０３ ＦＤ－ＳＯＩ Ａｄｖａｎｔａｇｅｓ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｏｐｐｏｒｔｕｎｉｔｙ ｉｎ Ｃｈｉｎａ １，２ １ Ｌｉｕ Ｚｈｏｎｇｌｉ ，Ｚｈａｏ Ｋａｉ （１．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＣＡＳ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００８３，Ｃｈｉｎａ； ２．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＣＡＳ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００２９，Ｃｈｉｎａ） 　　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｍｏｓｔ ｏｆｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｒｅ ｆａｃｉｎｇ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｐｒｏｂｌｅｍ ｏｆｅｎｅｒｇｙ ｓａｖｉｎｇ．Ｔｈｅ ｍｏｂｉｌｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ ｓｐａｃｅ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｉｎ ｐａｒｔｉｃｕｌａｒ ｒｅｑｕｉｒｅ ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ ａｎｄ ｌｏｗ ｐｏｗｅｒ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ．Ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｆｏｒ ＢＵＬＫ Ｓｉ，ｅｖｅｎ ＰＤ －ＳＯＩ ＣＭＯＳ，ｉｎ ｔｈｅｓｅ ａｓｐｅｃｔｓ，ｅｎｃｏｕｎｔｅｒｓ ａ ｇｒｅａｔ ｃｈａｌｌｅｎｇｅ．ＦＤ－ＳＯＩ，ｎａｍｅｌｙ ｆｕｌｌ ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ，ｉｓａｖｅｒｙ ｇｏｏｄ ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅ．Ｗｈｅｎ ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｕｒｔｈｅｒ ｓｃａｌｅ ｄｏｗｎｔｏｔｈｅ ｎａｎｏｍｅｔｅｒｌｅｖｅｌ，ｔｈｅ ａｄｖａｎｔａｇｅ ｏｆｅｎｅｒｇｙ ｓａｖｉｎｇｏｆＦＤ－ＳＯＩ ｉｓｍｏｒｅ ｐｒｏｍｉｎｅｎｔ． Ｔｈｉｓｐａｐｅｒ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｓ ａｄｖａｎｔａｇｅｓ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆＦＤ－ＳＯＩ ａｓ ｗｅｌｌ ａｓ ｉｔｓ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｐｐｏｒｔｕｎｉｔｙ ｉｎ Ｃｈｉｎａ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：Ｆｕｌｌ Ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ ＳＯＩ；Ｅｎｅｒｇｙ ｓａｖｉｎｇ；Ｌｏｗ ｐｏｗｅｒ；Ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ；Ｆｅａｔｕｒｅ ｓｉｚｅ；Ｓｃａｌｉｎｇ ｄｏｗｎ 工艺相对简单，可以提高集成电路最终的性能价格 １　引　言 比。本文将介绍ＦＤ－ＳＯＩ优点、应用及在中国发展 是金子总会发光的。对于 ＣＭＯＳ 集成