Sb掺杂对N型half-Heusler材料热电性能的影响.pdfVIP

第 29 卷 第 9 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 29 No. 9 2014 年 9 月 Journal of Inorganic Materials Sep., 2014 收稿日期: 2013-12-12; 收到修改稿日期: 2014-02-07 基金项目: 国家自然科学基金; 国家基础研究项目(2013CB632504) National Natural Science Foundation of China ; National Basic Research program of China (2013CB632504) 作者简介: 樊 毅(1988–), 男, 硕士研究生. E-mail: wdfan_123@126.com 通讯作者: 李小亚, 研究员. E-mail: xyli@ 文章编号: 1000-324X(2014)09-0931-05 DOI: 10.15541/ji Sb 掺杂对 N 型 half-Heusler 材料热电性能的影响 樊 毅 1, 2, 李小亚 2, 蒋永锋 1, 包晔峰 1 (1. 河海大学 常州校区 机电工程学院, 常州 213022; 2. 中国科学院 上海硅酸盐研究所 中国科学院能量转换重点实 验室, 上海 200050) 摘 要: 研究了 Sb 掺杂对 N 型 half-Heusler 化合物 Zr0.25Hf0.25Ti0.5NiSn1-xSbx (x=0、0.002、0.005、0.01、0.02、0.03) 热电传输特性的影响。结果显示, 随着 Sb 掺杂量增加, 材料的载流子浓度提高, 电阻率降低, 尤其是低温(300 K) 电阻率下降显著, 赛贝克系数降低, 且取得最大赛贝克系数的温度向高温端移动, 最大功率因子增加~20%, 材料 的热导率增大, 主要是电子热导率提高的贡献, 晶格热导率影响不大; 当 Sb 掺杂量较低时(x0.01), 材料的最大热 电性能优值 ZT 值在 0.77 左右, 掺杂量 x=0.005 的样品 ZT 值在整个温度区间内最优。 关 键 词: N 型 Half-Heusler; Sb 掺杂; 热电传输特性 中图分类号: O482; TN37 文献标识码: A Effect of Sb Doping on Thermoelectric Property of N-type Half-Heusler Compounds FAN Yi1,2, LI Xiao-Ya2, JIANG Yong-Fen1, BAO Ye-Feng1 (1. Mechanical and Electrical Engineering Institute, Changzhou Campus Hohai University, Changzhou 213022, China; 2. CAS Key Laboratory for Energy Conversion Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) Abstract: The effect of Sb doping on thermoelectric transport properties of N-type half-Heusler compounds Zr0.25Hf0.25Ti0.5NiSn1-xSbx (x=0, 0.002, 0.005, 0.01, 0.02, 0.03) was studied. Results show that with increasing Sb doping amount, the carrier concentration of the samples increases while the electrical resistivity decreases, especially sharply at low temperature range (~300 K). The Seebeck coefficient decreases, and the temperatures at which the Seebeck co- efficient reaches climax move to higher ones. Therefore, the power factor increases by ~20%