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PAGE10 / NUMPAGES10 变压器自我总结 (4000字) 关于磁芯的选择 （磁芯损耗，线圈损耗）要是使得总损耗最小，应当线圈损耗等于磁芯损耗。如果是变压器，次级损耗应当等于初级损耗。这意味着： 1.对于给定磁芯，如果磁芯损耗远小于线圈损耗（初级与次级铜损耗之和），你应当减少匝数；这将增加磁通密度，磁芯损耗增加，而铜损耗减少。使得总损耗减少。 2.相反，对于给定磁芯，如果磁芯损耗远大于铜损耗，你应当增加匝数。这将使得磁通密度减少，损耗也随之减少，而铜损耗增加。总损耗减少。 3.初级和次级分配相同的窗口面积：如果次级匝数多，次级导线必然比较细。如果有几个次级，按输出功率分配窗口面积。（即输出功率大，所占的窗口也大，所以每个次级IR损耗相同） 磁芯的选择 高频变压器的最大承受功率P 与磁芯截面积S （单位是cm ）之间存在下述经验公式。 SJ=0.11P M（公式） 其中，P 的单位是W。 举例说明：现实际输出功率P0=420W。设开关电源的效率 ?=70%，则高频变压器的额定输入功率PI= P0/?=600W。设计高频变压器时应留出余??，可取PM=700W，代入式（公式）中求出SJ=2.91 cm2 ,即Ae=291mm2.查下表可知，EE55型磁芯的Ae=354mm ，与之最为接近,故选用EE55。(Le就是变压器磁芯里磁场所路过的长 2 前提 （要保证适当的温度下磁芯不能饱和，计算完之后选择相应型号的变压器磁芯以及通过相应标注的饱和磁通密度进行选择，随着温度的升高，磁芯的饱和程度是下降的， 开关电源中的磁性元件总是要发热的，而且由于散热不良，磁芯最里面部分（中柱）温度最高，一般有可能超过100℃,因此，饱和磁通密度应限制在100℃对应的饱和磁通密度） 设计反激变压器初级需要数据： 1．磁芯尺寸 \\eg:结构形式efd10低尺寸结构，磁芯材料3f3材料（磁芯只要在规定的频率范围，相同的磁通密度变化率具有相同的损耗，都可以代用）在实验室做气隙磁芯时，一般你放两个垫片在磁芯的外边柱（如0.05mm多层聚酯薄膜带），并使每个垫片相等并等于希望的气隙。你应当记住，你计算的是总气隙长度，它是中心柱气隙和边柱（两个中的一个）磁路气隙之和。因为在边柱放置气隙，也在中柱产生气隙，你放置的垫片厚度应是总气隙的一半如果你要在中柱产生1.26mm气隙，你需要在每边放置0.63mm的气隙\\ AL是单匝电感量。用匝数的平方乘以AL就是你要的电感量，前提是磁芯不能饱和。如果有AT这个参数，只要匝数乘以额定电流不大于AT，则磁芯就不饱和。Ae是磁芯窗口面积，通过它可以计算气隙=u*n*Ae/Al， 2．开关频率：通过所需的频率进行对磁芯的选择。高频特性良好。开关电源的频率一般为50～200kHz，也有200～500kHz，但铁损耗随频率增大而成比例增加，因此，要选用高频特性好的磁性材料，如铁氧体等，这样可以减小变压器的温升。 3．损耗:（磁芯损耗与线圈损耗，铜损耗，总变压器损耗） 磁芯损耗： （没有窗口的磁芯损耗）需要搞清楚的有我们在进行选择时需要知道相应的损耗量是多少，需要明确的是型号材料在产品的适应的频率下的磁通密度，根据这个条件算出相应条件下的损耗（注意与具有磁芯窗口的磁芯的区别）） 损耗与磁通密度B和f的关系可表示为p=a*B?式中B为高斯 3 例如，我们使用的3F3材料在200kHz，我们取500Gs，损耗是20mW/cm，而800Gs，是 3 80mW/cm。得到两个方程为 20=a*500? 80=a*800? 解出x的值可以得到相应的p的值，也即200kHz条件下的损耗密度 线圈损耗： 铜损耗：应当记住，铜损耗由电流的有效值决定 4．输入电压（对非隔离反激电感也是如此） 5．电感量;初级电感量已经通过上面的介绍进行计算。在没有电感泄露的理想情况下，我们知道次级电感量=初级电感量/n,但是在实际情况下我们需要计算 6. 输出功率(输出电压和电流) 7.初级电感匝数的计算=需要的电感量除以单匝电感量 8.磁通密度的计算=u*h=u*n*I/气隙 关于次级匝数的选择 n=(1.224—1.63)最小输入电压/输出电压=N1/N2 =（一般情况下取1.4）1.4*最小输入电压/u’(解释一下，其中这个u’表示的是输出电压与整流器压降之和) 通过这个式子可以解出次级匝数，需要注意的是，其中