第3章_压力检测1-王威立浅析.ppt

压力检测;;§3.1 压力的概念及单位;压力是垂直地作用在单 位面积上的力。它的大 小由两个因素，即受力 面积和垂直作用力的大 小决定。其表达式为;常用单位;压力的概念;压力的概念;压力的概念;压力的概念;压力的概念;§3.2 应变式压力计;应变效应;实验演示;;荷重传感器原理演示;对于一长为L、横截面积为A、电阻率为ρ的金属丝，其电阻值R为：;电阻相对变化量为： ; 由材料力学的知识：在弹性范围内，金属丝受拉力时，沿轴向伸长，沿径向缩短，则轴向应变和径向应变的关系为： εy=-μεx （3-5） μ为金属材料的泊松系数。;将（3-4）式、（3-5）代入（3-3）式得：; 对于确定的材料，(1+2μ)项是常数，其数值约在1~2之间，实验证明dρ/ρ╱εx 也是一个常数。;二、电阻应变片;将金属电阻丝 （一般是合金， 电阻率较高，直径 约0.02mm）粘贴在 绝缘基片上，上面 覆盖一层薄膜，使它们变成一个整体。 ;利用光刻、腐蚀等工艺制成一种很薄的金属箔栅，厚度一般在0.003~0.010 mm，粘贴在基片上，上面再覆盖一层薄膜而制成。其优点是表面积和截面积之比大，散热条件好，允许通过的电流较大，可制成各种需要的形状，便于批量生产。;2、半导体电阻应变片; 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的压阻效应而制成的一种纯电阻性元件 。当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率会发生变化。 ;式中 为半导体应变片的电阻率的相对变化，其值与半导体敏感条在轴向所受的应力之比为一常数。即; 实验证明πLE比1+2μ大近百倍，所以1+2μ可以忽略，因而半导体应变片的灵敏系数为： ;基于半导体的“压阻效应” 体积小、灵敏度高、机械滞后小 温度稳定性差、非线性严重;三、电阻应变片的粘贴;四、电阻应变片的温度补偿; 由于环境温度变化引起的电阻变化与试件应变所造成的电阻变化几乎有相同的数量级，从而产生很大的测量误差，称为应变片的温度误差，又称热输出。;由于敏感栅材料和被测构件材料两者线膨胀系数不同，当Δt 存在时，引起应变片的附加应变，相应的电阻相对变化为:;温度变化Δt形成的总电阻相对变化：;2、温度补偿; 由两种不同电阻温度系数（一种为正值，一种为负值）的材料串联组成敏感栅，以达到一定温度范围内在一定材料的试件上实现温度补偿; 测量应变时，使用两个应变片，一片贴在被测试件的表面,称为工作应变片R1 。另一片贴在与被测试件材料相同的补偿块上，称为补偿应变片R2。在工作过程中补偿块不承受应变，仅随温度发生变形。;把R1与R2接入电桥相邻臂上，; 选择R1=R2=R及R3=R4=r。 当温度升高或降低Δt 时，若ΔR1t=ΔR2t，即两个应变片的热输出相等，则电桥的输出电压为：; 若被测试件受应变作用时，工作片R1感受应变，阻值变化ΔR1 ；补偿片R2不承受应变，阻值不变。此时电桥输出电压为;R1 ;电桥补偿法要达到全补偿，需满足下列三个条件： ①R1和R2须属于同一批号的，即它们的电阻温度系数α、线膨胀系数β、应变灵敏系数K都相同，两片的初始电阻值也要求相同； ②用于粘贴补偿片的构件和粘贴工作片的试件二者材料必须相同，即要求两者线膨胀系数相等； ③两应变片处于同一温度环境中。 ;五、电阻应变片的转换电路;当RL→∞时，电桥输出电压: ; 若R1由应变片替代，当电桥开路时，不平衡电桥输出的电压为: ;设桥臂比n=R2/R1,由于ΔR1R1 ,可得:;当电桥电压U确定后，由 ;R1 ;a.半桥差动 ;a.半桥差动 ;b. 全桥差动 若满足 ΔR1=ΔR2=ΔR3=ΔR4 则输出电压为： ;压电传感器;压电效应;压电效应;压电效应;压电效应;压电效应;压电效应;压电效应;图 硅氧离子的排列示意图;当石英晶体未受外力作用时，正、负离子正好分布在正六边形的顶角上，形成三个互成120°夹角的电偶极矩P1、P2、P3。 如图（a）所示。 ;(b) Fx0;当晶体受到沿x方向的拉力（Fx ＞0）作用时，其变化情况如图（c）所示。电偶极矩P1增大， P2、 P3减小，此时它们在x、y、z三个方向上的分量为 (P1 +P2 +P3) x0 (P1+ P2+ P3)y =0 (P1 +P2 +P3)z =0 在x轴的正向出现负电荷，在y、z方向依然不出现电荷。;可见，当晶体受到沿x(电轴)方向的力Fx 作用时，它在x方向产生正压电效应，而y、z方向则不产生压电效应。;晶体在z轴方向受力Fz的作用时，因