双沟道层对氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的影响.pdfVIP

第31 卷 第7 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 31 No. 7 2016 年7 月 Journal of Inorganic Materials Jul., 2016 文章编号: 1000-324X(2016)07-0745-06 DOI: 10.15541/ji 双沟道层对氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的影响 1 1 2 王乃倩 , 张 群 , 谢汉萍 (1. 复旦大学 材料科学系, TFT-LCD 关键材料及技术国家工程实验室, 上海 200433; 2. 台湾交通大学 光电工程 学系, 新竹 30010) 摘 要: 采用射频磁控溅射法, 在热氧化 p 型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌 (a-IZON)薄膜晶体管(TFTs), 并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现, a-IZO/IZON 双沟 道层TFTs 具有较高的场效应迁移率, 为23.26 cm2/(Vs), 并且其阈值电压相较于单层a-IZO-TFTs 正向偏移。这是 由于氮掺杂可以减少沟道层中的氧空位, 抑制载流子浓度, 使器件具有更好的阈值电压。而a-IZO 层避免了由于氮 掺杂导致的场效应迁移率和开态电流的下降, 提升了器件的电流开关比。从298 K 至423 K 的器件转移特性曲线中 发现, 双沟道层器件相较于单沟道层器件的温度稳定性更佳, 这可归因于a-IZON 层的保护作用。氮掺杂可以减少 氧在背沟道层表面的吸收/解吸反应, 改善器件的稳定性。 关 键 词: 双沟道层; 氮气掺杂; 温度稳定性; 薄膜晶体管 中图分类号: TN321 文献标识码: A Influence of Double Channel Layers on the Performance of Nitrogen Doped Indium-zinc-oxide Thin Film Transistors 1 1 2 WANG Nai-Qian , ZHANG Qun , SHIEH Han-Ping (1. Department of Material Science, Fudan University, National Engineering Lab of TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai 200433, China; 2. Department of Photonics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan, China) Abstract: The nitrogen-doped amorphous indium-zinc-o