第11章+静电场中的导体和电介质2_电介质选编.ppt

除导体外，凡是在电场中能与电场发生相互作用的物质，都可称为电介质。 主要特征： 电介质分子中的正负电荷束缚得很紧，介质内部几乎没有自由电荷。理想的电介质是很好的绝缘体。 11.2 静电场中的电介质 电介质受外电场的作用出现束缚（极化）电荷，达到平衡时，电介质内部的场强减弱。 11.2.1 电介质的电结构 （1）真空中一对金属导体板，分别带电+q 和 -q ， 相距d。 （2）保持q 和d 不变，插入一块电介质( P49 表 ) 测得两板的电压为U0 , 即板内的场强为： E0 即场强： 测得两板的电压: 结论：由于电介质的放入，内部的电场减弱了。 r : 电介质的相对介电常数。 （11-3） 实验： 每一分子都有正电中心和负电中心，正负电荷电量相等，相当于一个电偶极子。 电介质可分为两类： 分子的正、负电荷中心重合。分子不存在固有电偶极矩 (2) 无极分子（如H2、O2、CO2等）： 分子的正、负电中心不重合，分子存在固有电偶极矩 (1) 有极分子（如H2O、HCl 等）： 分子电矩 (1) 无极分子的位移极化 电介质的极化: 在外电场的作用下，介质表面产生束缚（极化）电荷的现象。 11.2.2 电介质在外电场中的极化现象 无极分子在外场的作用下，正负电荷中心发生偏移而产生的极化称为位移极化。 束缚（极化）电荷：电荷被束缚在分子范围内，不能作宏观移动。也不能用传导的方法引走。 (2) 有极分子的转向极化 有极分子在外电场中发生偏转而产生的极化称为转向极化。 外场越强，排列越整齐。 极化的结果： 对各向同性的均匀的电介质（有极、无极）  内部无净电荷；  表面产生束缚电荷，外电场越强，束缚电荷越多。 从宏观看, 在外电场的作用下, 介质表面产生束缚电荷。 电介质的击穿 当外电场很强时，电介质中的正负电荷可能被拉开，变成自由电荷，则绝缘体变成了导体。这种现象称为电介质的击穿。 电介质在电容器中的作用： （1）增大电容的值；（2）增大耐压。 由击穿强度可计算电容器的耐压， P49 表11-1 介电质的绝缘强度（击穿强度 Em ）： 电介质材料所能承受的不被击穿的最大电场强度。 如平板电容器的耐压： Um = Emd 11.3 有电介质时的静电场和高斯定理 11.3.1 有电介质时的静电场 介质内的场强： 解释 ： 电介质的放入，内部的电场减弱 E E0 E = E0 – E’ 11.3.2 有电介质时静电场的高斯定理 电位移矢量 介质中的束缚（极化）电荷 q ，和电场互相牵制，一般无法预知。也无法用实验测到。 在电介质中，高斯定理应为： 真空中的高斯定理： 以半径为R，电荷为 q 的孤立导体球为例： 在真空中： 在球外充满相对介电常数为r 的无限大均匀电介质。在电介质的表面会产生极化电荷q 电场： q为自由电荷 r q q 得：束缚电荷 各向同性线性电介质 令 电位移 矢量： D的高斯定理： 在静电场中，通过任意闭合曲面S 的电位移通量等于该闭合曲面所包围的自由电荷的代数和。 单位： C/m2 r q q 说明： （1）介质中的高斯定理也是普遍适用的。 （3）介质中的高斯定理包含了真空中的高斯定理： 真空中： （4）电介质中静电场的环路定理的形式不变： E是自由电荷和束缚电荷产生的总的电场强度。 （1）利用电荷分布的对称性，根据D 的高斯定理求出电位移的分布: （2）由电场强度与电位移的关系计算场强: *（4）束缚电荷计算： （3）电势与电场强度的关系： 11.3.3 有介质时静电场的高斯定理的应用 例1：自由电荷面密度为  的平行金属板之间充满相对介电常数为r 的均匀电介质，求电位移D，电场强度E和介质表面的束缚电荷面密度 ’ 为多少？ 解： 由介质中的高斯定理 + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - + + + + + + -’ +’ P52 例11-2 同轴圆柱面之间的场强和电势差。 （1） 求 D （2） 求 E （3）求 VAB 11.4 电容 电容器 11.4.1 孤立导体的电容 设半径为R 的导体球带电 q, 电势为： 则：孤立导体球的电容： 电容是导体的一个重要特性。先讨论孤立导体的电容： 导体的电荷量