數字電子技术 第三章 门电路.pptVIP

第三章 门电路;补：半导体基础知识;半导体基础知识（1）;半导体基础知识（2）;半导体基础知识（2）;半导体基础知识（3）;半导体基础知识（4）;半导体基础知识（4）;3.1 概述;正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1;3.2半导体二极管门电路;二极管的开关等效电路：;二极管的动态电流波形：;　　若输入信号频率过高，二极管会双向导通，失去单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。;3.2.2 二极管与门 ;3.2.3 二极管或门;3.3.1三极管的输入特性和输出特性;三极管的输出特性;特性曲线分三个部分 放大区：条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB成正比变化， ΔiC=βΔiB。 饱和区：条件VCE 0.7V, iB 0, VCE 很低，ΔiC 随ΔiB增加变缓，趋于“饱和”。 截止区：条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, c—e间“断开” 。;3.3.2双极型三极管的基本开关电路;三极管的开关等效电路;3.3.3 动态开关特性;三极管的开关时间（动态特性）;(1) 开启时间ton 三极管从截止到饱和所需的时间。 　　　　　　　ton = td +tr td ：延迟时间　　 tr ：上升时间;3.3.4 TTL反相器;TTL反相器工作原理 ;采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力;二、电压传输特性;三、输入噪声容限;TTL反相器的输入特性和输出特性;图2-12 输入负载特性曲线 （a）测试电路 （b）输入负载特性曲线 ;　　在一定范围内，uI随RI的增大而升高。但当输入电压uI达到1.4V以后，uB1 = 2.1V，RI增大，由于uB1不变，故uI = 1.4V也不变。这时VT2和VT4饱和导通，输出为低电平。;3. 输出特性;图2-14　输出低电平时的输出特性 （a）电路 （b）特性曲线;平均传输延迟时间tpd ;二、交流噪声容限;3.5.5其他类型的TTL门电路;2. 或非门;集电极开路门（OC门）;2、OC门的结构特点;OC门实现的线与;例:试为图2.4.30电路中的外接负载电阻RL选定合适的阻值。已知G1、G2为OC门，输出管截止时的漏电流为IOH= 200μA，输出管导通时允许的最大负载电流为ILM=16mA，G3、G4和G5均为74系列与非门，它们的低电平输入电流为IIL=-1mA，高电平输入电流为IIH=40 μA。给定VCC=5V，要求OC门输出的高电平VOH≥ 3.0V，低电平VOL≤ 0.4V。;三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS）;控制端高电平有效的三态门;三态门的用途;扇出系数= ;扇出系数（Fan-out）， 试计算门G1能驱动多少个同样的门电路负载。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;CMOS 门电路;MOS管的开关特性;三、MOS管的基本开关电路;CMOS反相器的工作原理;UIH= VDD; 负载管串联 （串联开关）;图2-29 CMOS与非门 ;二、漏极开路的门电路（OD门）;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;表2-7 各种系列门电路的主要参数;TTL门电路和CMOS 门电路的相互连接 ;1. TTL门驱动CMOS门;2. CMOS门驱动TTL门;不同系列TTL门电路的比较