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教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将(　A　　　)。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有(　　B　　)。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(　　A　　)。 (a)正向电压大于PN结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4理想二极管的反向电阻为(　　B 　　)。 (a)零 (b)无穷大 (c)约几百千欧 5电路如图1所示，设，均为理想元件，已知输入电压=150sinV如图2所示，试画出电压的波形。 6电路如图1所示，设输入信号,的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。 解： 输出电压的波形如图： （2）t1时间内二极管D1的工作状态导通，D2的工作状态截止。 t2时间内二极管D1的工作状态截止，D2的工作状态导通。 7电路如图所示，试分析当时，哪些二极管导通？当时，哪些二极管导通？（写出分析过程并设二极管正向压降为）。 第2章 基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图(　B　　　)。 2图示电路，已知晶体管，，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA，RB应取(　 A　　)。 (a)480k? (b)120k? (c)240k? (d)360k? 3电路如图所示，RC＝3k?，晶体管的β＝50，欲使晶体管工作在放大区， RB应调至(　　A　　)。 (a)10k? (b)100k? (c)300k? (d)∞ 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T的，，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（UB，UC，UE）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 解： （1）当RB1开路时，偏置电路如图所示： 此时晶体管处于截止状态。 （2）当RB2开路时，偏置电路如图所示： , 此时晶体管处于饱和状态。 5放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻，电流放大系数=50，要求: (1)画出放大器的微变等效电路； (2)计算放大电路输入电阻及电压放大倍数。 答： （1）放大器的微变等效电路如图： 放大电路输入电阻及电压放大倍数算： Ri=RB1//RB2//RBE=22//4.7//1=0.795 RO=Rc=2.5 6电路如图所示，已知，，，要求: (1)今测得，试求发射极电流以及晶体管的 (2)欲将晶体管的集射极电压减小到8V，试求RB应如何调整？并求出其 值。(3)画出微变等效电路。 第三章 多级放大电路 1由两管组成的无射极电阻简单差动放大电路，欲在双端输出时能很好的抑制零点漂移必须使得(　　A　　)。 (a)电路结构对称，两管特性及对应的电阻元件参数相同。 (b)电路结构对称，但两管特性不一定相同。 (c)两管特性及对应的电阻元件参数相同，但电路结构不一定对称。 2在多级直接耦合放大电路中，导致零点漂移最为严重的是(　A　　　)。 第一级的漂移 (b)中间级漂移 (c)末级漂移 3在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是(　　B　　)。 (a)提高电压放大倍数 (b)抑制零点漂移 (c)提高带负载能力 4电路如图所示，微安表的读数为，AB支路的总电阻，=50,，计算时忽略的影响，且不计微安表的内阻。要求：(1)指出电路的输入，输出方式；(2)电路是如何抑制零点漂移的？(3)计算输入电压的大小。 答： （1）电路是单端输入，双端输出； （2）电路通过共模反馈电阻RE及对称的电路结构抵制零点漂移。 （3）计算输入电压 : , 其中：.  5差动放大电路如图所示，问对差模信号有无影响？为什么？ 答：对差模信号无影响。原因如下： 如图，差动放大器在差模输入信号的激励下，因差模输入信号ui1=-ui2，将使两三极管的电流产生异向的交化，在两管对称性足够好的情况下，Re上将流过等值反向的电流，这两个信号电流在Re上的压降为零，即Re对差模信号的作用为零，没有反馈的作用。因此差模信号时，Re不产生影响。 6电路如图所示，其中两个晶体管特性完全相同。试回答：(1)RE，RC，RZ各起什么作用？(2)此电路是否能将交流信号放大为？(3)和的相位关系怎样，是同相还是反相？ 答： (1)RE，RC，RZ各起作用如下： RE起抑制零漂的作用； RC将变化的电流信号转换为电压信号； RZ起限流作用； (2) 电路能将交流信号放大为。 (3) 和的相位相反。 8某抑制零点漂移的放大电路如图所示，试说明该电路中，采用了哪些改