模电晶体二极管及应用电路题库.ppt

绪论 晶体二极管及应用电路(3.5学时） 晶体三极管及应用电路 场效应管及基本放大电路 放大电路的频率响应 负反馈放大电路 双极型模拟集成电路 双极型模拟集成电路的分析与应用 MOS模拟集成电路（自学） 直流稳压电源电路;部分半导体二极管图片;问题： 二极管特性与电阻特性有何区别？ 二极管电阻是大还是小？ 二极管具有怎样的物理结构？ 二极管有哪些类型？ 二极管有哪些典型应用？;2.1 半导体基础知识 2.2 晶体二极管 2.3 二极管主要应用;2.1 半导体基础知识;2.1.1 半导体特性;2.1.2本征半导体;锗晶体的共价键结构示意图 半导体能带结构示意图;2. 本征半导体中有两种载流子：自由电子和空穴，它们是成对出现的。;? 本征半导体的载流子的浓度;? 载流子的产生与复合;2.1.3 杂质半导体;? N型半导体;;举例：锗原子密度为4.4×1022/cm3 ，常温下锗本征半导ni=2.5×1013/cm3，若每104个锗原子中掺入1个磷原子（掺杂密度为万分之一），则在单位体积中就掺入了 10-4×4.4×1022=4.4×1018/cm3个磷原子。 则施主杂质浓度为： ND= 4.4×1018/cm3 （比ni大十万多倍）;结论：在杂质型半导体中，多子浓度比本征半导体的浓度大得多，而少子浓度比本征半导体的浓度小得多，但两者乘积保持不变。;一、PN结的形成 二、PN结的接触电位差 三、PN结的伏安特性 四、PN结的反向击穿特性 五、PN结电容 六、PN结的电致发光 七、PN结的光电效应;概念： 扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。;载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运动 形成的电流成为扩散电流;?;三、PN结的伏安特性;2. PN结加反向电压时的导电情况;;PN结两端的电压与 流过PN结电流的关系式;;iD;雪崩击穿;五、PN结的电容;注意：势垒电容和扩散电容均是非线性电容,并同时存在。外加电压变化缓慢时可以忽略，但是变化较快时不容忽略。;? PN结的电致发光; PN结用导线连接成回路时，载流子面临PN结势垒的阻挡，在回路中不产生电流。当有光照射PN结材料上时，若光子能量大于半导体的禁带宽度，则在PN结的耗尽区、P区、N区内产生光生的电子-空穴对，耗尽区内的载流子在内建场的作用下电子迅速移向N区，空穴移向P区，在回路内容形成光电流，而P、N区内产生的光子无内建电场的作用只进行自由的扩散运动，多数因复合而消失，对光电流基本没有贡献。;2.2.1 二极管的结构类型 2.2.2 二极管的伏安特性 2.2.3 二极管的等效电阻 2.2.4 二极管主要参数 2.2.5 二极管模型 2.2.6 特殊二极管 2.2.7 二极管应用;2.2.1 晶体二极管的结构类型;伏安特性：是指二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。 由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线，;?晶体二极管的伏安特性;?温度对二极管特性的影响;;;;;问题解答：电阻R的作用是限制回路电流，避免二极管电流过大而烧毁。;2.2.4 二极管的主要参数;1.理想二极管模型;2. 折线二极管模型;3.二极管交流模型;2.2.6 特殊二极管;特性参数：;稳压管使用方法：稳压二极管在稳压电路工作时应反接,并串入一只电阻。 稳压电路要求：输入电压ui 要求大于输出电压uo。;;;2) 常用驱动电路：;4.光电二极管:有光照射时有电流产生的二极管。;肖特基二极管特点： （1）具有与PN结相似的伏安特性。 （2）依靠一种载流子工作的器件 （3）串联电阻低。 （4）正向导通电压和反向击穿电压均比PN结低。 应用： 适用于高频高速电路。 ;半导体二极管型号;2.2.7 二极管应用;LED显示器;工作原理：利用二极管单向导电性，限定输出信号的幅度。;工作原理: (1)当输入ui0时，二极管瞬间导通，C快速充电，Uc=V1，充电结束，R无电流，输出uo=0。 (2) 当输入ui0时， 二极管截止，C充放电缓慢， 输出uo= -Uc+ui = -V1-V2。;晶体二极管实际上就是一个PN结，描述二极管的性能 常用二极管的伏安特性，可用二极管的电流方程来描述，I=Is(e U/UT-1)； 硅管导通后管压降UD≈0.7V，锗管导通后UD≈0.3V； 晶体二极管用途有整流、稳压和限幅等。 稳压管是工作区在反向击穿区。可以提供一个稳定的电压，使用时注意加限流电阻。 半导体光电器件分光敏器件和发光器件，可实现光—电、电—光转换。光电二极管应在反压下工作，而发光二极管应在正偏电压下工作。;重点：晶体二极管的原理、伏安特性及电流方程。 难点：1.两种载流子