光伏原理(第2章).pptVIP

;第二章 半导体材料的基本性质; 2.1 半导体的晶体结构;晶体是由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体物质，具有规则几何外形。 晶体之所以具有规则的几何外形，是因其内部的质点作规则的排列，实际上是晶体中最基本的结构单元重复出现的结果。;晶胞参数;七大晶系;立方 Cubic;密排堆积方式;面心立方堆积;金刚石型堆积;半导体的晶体结构;晶体类型; 2.2半导体的能带结构 ;Si原子最外层有四个电子： 3s2 3p2;3s;;半导体的导带，价带和禁带宽度;禁带宽度;允许能态的占有几率;费米－狄拉克函数曲线;2.3 半导体中的杂质和缺陷;2.3.1 本征半导体;实际晶体不是理想情况;2.3.2 杂质半导体;2.3.3 N型半导体;N型半导体的概念;施主电离能和施主能级;多子和少子;2.3.4 P型半导体;P型半导体的概念;受主电离能和受主能级;自补偿效应;热平衡条件;电中性条件; 其中： ni, pi分别表示电子和空穴的浓度（cm-3) T为热力学温度 k为玻尔兹曼常数(8.63?10-5ev/k, 或1.38?10-23J/k) ;电子空穴对的数量，当T=300K时： 硅： ni= pi=1.43?1010 锗：ni= pi=2.38?1013 本征半导体中载流子浓度取决于禁带宽度和温度T，即半导体的导电性能对温度很敏感。 在常温附近，温度每升高8oC，硅的ni增加一倍；温度每升高12oC，锗的ni增加一倍。;例子：;;2.4 半导体的导电性;2.4.1 欧姆定律;;2.4.2 电导率;本征半导体的电导率;2.4.3 载流子运动;漂移电流;爱因斯坦关系：;2.5 半导体的光学性质;2.5.1 光的基本性质;;;; 光具有波的性质，也具有粒子（光子）的性质。 E=1.24 / ? 波长与能量的换算 ;半导体的光吸收;;当光照射到固体表面时, 部分光被反射, 若入射光强为 J0, 反射光强为 J反 时, 则有;硅的光吸收;波长小于400nm的光在厚度0.01um 的硅中，就被全部吸收； 波长大于1000nm的光在175um的硅中没有被完全吸收；;需掌握的知识（第二章问题）;谢谢