ULVAC交通大学奈米中心DualE-GUNA笔试考核记錄表.PDFVIP

ULVAC 交通大學奈米中心 Dual E-GUN A 筆試考核記錄表 姓名: 學校系所: 考試日期： 學號： 以下題目是為保護機台並讓使用者正常操作機台而設計。 筆試 (是非題 10 題) : 若是答案為 X，請圈出錯誤之處，並在橫線上說明正確答案。 每題 10 分，滿分 100 分；80分以上才可參加實作考試，若最後一題答錯，視同不合格。 ( )1、本設備可以鍍 Au,Ag,Cu,Fe 四種材料。 ( )2、Crystal 低於 6MHz 以下需更換。 ( )3、 破真空時門的把手要先扳至8點終方向，預防門卡住打不開。若忘了此動作而卡住時，只要 再重抽真空至門把可扳動後再破真空即可。抽真空時，應等至 MAIN 燈亮及後方Gauge燈亮、 面版 ION Gauge 燈號亮才離開。 ( )4、若鍍的是破片，直接放置在腔體內任一處即可。 ( )5、二個靶座：Gun1是指右側的Gun，Gun2是指左側的Gun。 不同材料、不同坩鍋的操作電流會有差異。 ( )6、二個類似鳥嘴的夾子，位置要在坩鍋正上方，避免蒸汽直接打在 WAFER 上，要特別注意 其位置不要擋到石英震盪器，才不會造成偵測膜厚的結果失真。 ( )7、加熱燈絲在坩鍋下方，其目的在產生電子束以打入坩鍋將靶材熔融蒸鍍，要注意不同材料熔 點不同，操作電流不同，材料勿放太滿與電流勿太大造成短路或無法加熱。 ( )8、開始鍍之前要檢查真空值，最後再按 L 鍵回一般的 scal才開始鍍； 鍍的期間不可以再按 L 鍵查看目前真空值，會因真空偵測值變大而造成真空ALARM。 ( )9、轉電流時可以馬上旋轉到所需電流(不同材料不同電流)，並維持在 Pre-evaporation 3~5 分 鐘後略下降電流(不同材料預熔時間不同)，再按 Shut open 開??擋板，接著要控制調整電流 大小(mA)，則會有鍍率出現。 ( )10、每次實驗，我不會看技術員為保護機台所提醒的注意事項並小心謹慎操作設備；若因不當 操作造成機台損傷，將不負起應負之責任。弟子規中提及＂入虛室、如有人＂，因此至奈米 中心任一實驗室，即使無他人在，我也都不會自律，不遵守實驗室與設備相關規範，並詳細 填寫相關記錄表。 考試時間: ： ～ ： 筆試評分: 考核員簽名: 第一頁，共二頁 105 年 9 月13日製表 交通大學奈米中心 Dual E-GUN A實作考核記錄表 實作:犯以下錯誤每項扣 10 分，滿分 100 分，80 分以下不及格(即只能錯 2 題，錯 3 題