第九章结晶-制药工程原理与设备选编.pptVIP

第九章 结晶 ;a：金刚石 b: 石墨 c: 六角金刚石 d, e, f: 足球烯 g, h: 石墨烯;一、概述 结晶：固体物质以晶体状态从蒸汽、溶液或熔融物中析出的过程。工业结晶技术作为高效的提纯、净化与控制固体特定物理形态的手段 ;结晶过程的特点 ;一、晶体结构与特性 ;晶格：构成晶体的微观质点在晶体所占有的空间中按三维空间点阵规律排列，各质点间在力的作用下，使质点得以维持在固定的平衡位置，彼此之间保持一定距离的结构。;七种晶系;一、 溶解度 溶解度：一定温度下，溶质在溶剂中的最大溶解能力。溶解度的单位有：kg溶质/kg溶剂，克/升溶液、摩尔／升溶液、摩尔分数等。 液固平衡: 任何固体物质与其溶液相接触时，当溶液尚未饱和，则固体溶解；当溶液恰好达到饱和，则固体溶解与析出的量相等，此时固体与其溶液已达到相平衡。因此，溶解度习惯上称为饱和浓度或???衡浓度，其对应的溶液称为饱和溶液。 溶解度的影响因素：溶质及溶剂的性质、温度及压强。 ;溶解度曲线:溶解度对温度之间的关系曲线。; 饱和溶液：浓度恰好等于溶质的溶解度，即达到固液相平衡时的溶液。;溶液的过饱和与介稳区;例：KNO3在水中的溶解度，20℃时为0.304kg/kg， 100℃时为2.470kg/kg。若将1000kg，100℃的KNO3在水饱和溶液冷却 降温至20℃，计算理论上可以析出的晶体质量。;一、结晶操作的性能指标;晶体的产量:晶体的产量取决于溶液的初始浓度和结晶后母液的浓度，而后者由操作的终了温度所决定。;二、结晶过程;晶体生长机理 在过饱和溶液中已有晶体形成（加入晶种）后，以过饱和度为推动力，溶质质点会继续一层层地在晶体表面有序排列，晶体将长大的过程。;三、结晶方式 晶体从过饱和的溶液中析出的过程，同一物质采用不同的结晶方式，可以获得完全不同的晶形，并影响晶体的其它品质。常用的结晶方式有： 自然结晶: 在没有搅拌和外加晶种的条件下，过饱和溶液自然生成晶体的方式称为自然结晶。 自然结晶获得的晶体颗粒较大，表面积较小，不易潮解，一般适用于熔点低、有潮解性的晶体产品。 搅拌结晶: 可以使晶体均匀、松散、不易潮解，适用于熔点较高、潮解性较低的产品。 外加晶种结晶: 在物料的溶液中添加某种晶种使其结晶的过程，添加晶种需要注意选择合适的温度。;四、结晶操作方式 根据生产的要求和特点，结晶操作分为连续、半连续和间歇式三种操作方式。 连续结晶操作: 产量大、成本低、劳动强度低、母液利用率高；缺点：易结垢，晶体平均粒度小、操作波动性大，控制要求高。适用于产量大，附加值较低的产品处理。 间歇结晶操作: 条件易控制、便于对设备的批间清洗，有效防止产品的批间污染。缺点：生产成本相对较高、生产重复性较差。适合小批量、高纯度、高附加值的精细药物中间体的生产。 半连续结晶: 为连续结晶和间歇结晶的组合，同时具有两者的优点。 一般料液处理量＜100kg/h的结晶，多选用间歇结晶操作；对于处理量＞20m3/h，宜选用连续操作。 ;五、结晶操作控制 连续结晶的控制：一般采取“过饱和度控制”和“细晶消除”措施。 过饱和度是结晶过程严格控制的参数，其值一般维持在介稳区范围内。可以提高晶体的粒度及其分布指标。 “细晶消除”，通常在结晶装置的内部设置一澄清区，当晶浆向上涌动时，粒度较大的晶体可直接沉至容器的主体继续生长，而细晶随晶浆一起由澄清区的上部溢出，重新溶解后再循环至容器主体结晶。;2.间歇结晶的控制：一般采取添加晶种的措施来控制成核的速率。可消除爆发式的初级成核，同时体系的二次成核也可得到有效抑制，从而可以获得粒度相对较大而且分布均匀的晶体产品。 另外，工业上还可以通过重结晶的方法获得粒度大而均匀的晶体产品。 重结晶：溶解-过滤-结晶-分离;结晶操作控制;提高过饱和度，可提高结晶速率和收率。溶液黏度增大，杂质含量增加 ，可能会出现如下问题： ①成核速率过快－晶体细小； ②结晶生长速率过快－在晶体表面产生液泡－结晶质量； ③结晶器壁易产生晶垢－影响结晶操作； ④产品纯度降低。? 因此，过饱和度与结晶速率、成核速率、晶体生长速率及结晶产品质量之间存在着一定的关系，应根据具体产品的质量要求，确定最适宜的过饱和度。;2．温度 温度的不同，生成的晶形和结晶水会发生改变，温度一般控制在较小的温度范围内。冷却结晶时，若降温速度过快，溶液很快达到较高的过饱和度，生成大量微小晶体，影响结晶产品的质量。温度最好控制在饱和温度与过饱和温度之间。 蒸发结晶时，蒸发速度过快，则溶液的过饱度较大，生成微小晶体，附着在结晶表面，影响结晶产品的质量。蒸发速度应与结晶生长速率相适应，保持溶液的过饱和度一定。工业结晶操作常采用真空绝热蒸发，不设外部循环加热