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热处理对驻极体电荷稳定性的影响;热处理的分类 ;进行热处理的原因 ;热处理的意义;A 高 温 充 电(驻极态建立过程中的热处理);电荷稳定性的改善 ;
◆ 根源:这种改性是源于
高温充电时的热激发,
→或者有效地阻止了充电期间浅阱对注入
电荷的捕获;
→或者是充电时已注入浅阱的电荷,由于继
续充电中的热激发脱阱和它们中的一部分被
再捕获在较深的陷阱中,从而增加了捕获在
深阱中电荷对浅阱电荷的浓度比。;
图1为Teflon PFA薄膜经不同温度正电晕充电后的开路TSD电流谱。
随着充电温度的升高,常温充电的TSD谱线上的86℃低温峰消失,
而高温峰逐渐向高温区漂移。;值得注意的是:
和高温峰值对应的TSD电流曲线和温度
座标间围的面积(对应于从深阱中释放的电
荷量)比常温注极时明显增加,这必将导致
电荷储存寿命的延长。;电荷储存能力的增强 ;倘若:
1)充电温度TcT0,则捕获在浅阱中载流
子占有较大的比例,电荷稳定性不能达
到充分的改善(图1中的120℃充电TSD
曲线);
2)充电温度TcT0,则更多的深阱捕获电
荷被外界提供的较高热能激发脱阱,引
起深阱内储存电荷密度的下降(图1中
的230℃曲线),影响充电效率。;
表1 列出了目前工业生产中常用的几种高绝缘聚合物驻极
体材料的最佳充电温度。
PTFE、FEP、PFA和PCTFE正负电晕充电的最佳充电温度;B常 温 充 电 后的 热 处 理;定义:
经常温充电的样品,并在适当的温度下退
火,或者在一定的高温下老化,以改善相应材
料的驻极体稳定性。
适用范围:
这一过程对那些:
1)或者储存着较高电荷密度,
2)或者呈现电荷的快再捕获效应
的驻极体效果更佳。;
▲和高温充电相比
1)它们的共性:都是通过热激发效应来改变材
料内深能级对浅能级陷阱捕获电荷的比例。
2)它们的差异:是充电后的热处理是将常温充
电后已捕获在浅阱中的载流子在一定温度下
激发脱阱,脱阱电荷中的一部分在驻极体自
身场激励下的输运途中被较深的陷阱再度捕
获,从而减少了浅阱内捕获电荷的浓度,达
到改性的目的。;▲实验结果表明:
通过充电-退火-充电-退火等多次循环操作,既可以改善电荷储存的稳定性,也可以提高电荷储存的密度,形成这一结果除上述原因外,尚包含热处理过程中材料形貌结构的局部改变。
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下图(图2)表示了Teflon FEP—PI复合驻极体膜经三次循环充电—退火后在室温下电荷衰减的时间常数已长达300年。;图 2. Teflon FEP-PI复合膜的多次循环充电- 退火的电荷衰减 ;原因:
经过多次老化热处理,原来沉积在较浅
陷阱中的载流子被热激发脱阱后在迁移途中
多次脱阱并再捕获,从而在向背电极输运中
被捕获到越来越深的阱中。
而在热处理过程中已捕获在深阱中电荷
由于多次老化的温度所提供的有限值的热能
不足以引起它们激发脱阱。循环处理次数越
多,深阱对浅阱储存电荷的比例越高。;
氟聚合物驻极体和硅驻极体的陷阱分布几何特征
十分有趣的是:在驻极体的实际应用中最重要
的几种高绝缘性氟聚合物材料和硅材料:
FEP、PTFE、PFA和SiO2等的不同能值的陷阱
表现出特殊的几何分布规律:
◆较浅的电子陷阱的大多数(如能值为1eV左右)
位于材料的近表面;
◆较深的电子陷阱(如能阱从1.3至1.7eV)则分布
在整个样品(表面和体内)。;
下图(图3)中粗实线表示了常温负电晕充
电的Teflon FEP驻极体的开路TSD电流谱线。
1) 148℃峰(对应脱阱电荷的活化能约为1eV)
的大部分释放电荷能阱位于材料的体表(平
均电荷重心离充电自由面仅为0.7?m);
2)214℃和250℃峰(对应活化能分别为1.7和
1.4eV)的较高能值陷阱的脱阱电荷则在体内
占有较大比例。; 图 3. 常温负电晕充电和不同束能电子束充电的FEP薄膜
驻极体的开路TSD电流谱 ; 图 4. 常温负电晕充电和不同束能的电子束充电的PFA驻
极体的开路TSD电流谱 ; C充电前的淬火; 充电前的淬火是改善驻极体电荷稳定性另一类重要的热处理方法。这种改性是和淬火后材料的晶体结构的变化密切相关。 ;淬火对驻
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