热处理对驻极体电荷稳定性的影响.题库.ppt

热处理对驻极体电荷稳定性的影响;热处理的分类 ;进行热处理的原因 ;热处理的意义;A 高 温 充 电(驻极态建立过程中的热处理);电荷稳定性的改善 ; ◆ 根源：这种改性是源于 高温充电时的热激发， →或者有效地阻止了充电期间浅阱对注入 电荷的捕获； →或者是充电时已注入浅阱的电荷，由于继 续充电中的热激发脱阱和它们中的一部分被 再捕获在较深的陷阱中，从而增加了捕获在 深阱中电荷对浅阱电荷的浓度比。; 图1为Teflon PFA薄膜经不同温度正电晕充电后的开路TSD电流谱。 随着充电温度的升高，常温充电的TSD谱线上的86℃低温峰消失， 而高温峰逐渐向高温区漂移。;值得注意的是： 和高温峰值对应的TSD电流曲线和温度 座标间围的面积（对应于从深阱中释放的电 荷量）比常温注极时明显增加，这必将导致 电荷储存寿命的延长。;电荷储存能力的增强 ;倘若： 1）充电温度TcT0，则捕获在浅阱中载流 子占有较大的比例，电荷稳定性不能达 到充分的改善（图1中的120℃充电TSD 曲线）； 2）充电温度TcT0，则更多的深阱捕获电 荷被外界提供的较高热能激发脱阱，引 起深阱内储存电荷密度的下降（图1中 的230℃曲线），影响充电效率。; 表1 列出了目前工业生产中常用的几种高绝缘聚合物驻极 体材料的最佳充电温度。 PTFE、FEP、PFA和PCTFE正负电晕充电的最佳充电温度;B常 温 充 电 后的 热 处 理;定义： 经常温充电的样品，并在适当的温度下退 火，或者在一定的高温下老化，以改善相应材 料的驻极体稳定性。 适用范围： 这一过程对那些： 1）或者储存着较高电荷密度， 2）或者呈现电荷的快再捕获效应 的驻极体效果更佳。; ▲和高温充电相比 1）它们的共性：都是通过热激发效应来改变材 料内深能级对浅能级陷阱捕获电荷的比例。 2）它们的差异：是充电后的热处理是将常温充 电后已捕获在浅阱中的载流子在一定温度下 激发脱阱，脱阱电荷中的一部分在驻极体自 身场激励下的输运途中被较深的陷阱再度捕 获，从而减少了浅阱内捕获电荷的浓度，达 到改性的目的。;▲实验结果表明： 通过充电-退火-充电-退火等多次循环操作，既可以改善电荷储存的稳定性，也可以提高电荷储存的密度，形成这一结果除上述原因外，尚包含热处理过程中材料形貌结构的局部改变。 －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ 下图(图2)表示了Teflon FEP—PI复合驻极体膜经三次循环充电—退火后在室温下电荷衰减的时间常数已长达300年。;图 2. Teflon FEP-PI复合膜的多次循环充电- 退火的电荷衰减 ;原因： 经过多次老化热处理，原来沉积在较浅 陷阱中的载流子被热激发脱阱后在迁移途中 多次脱阱并再捕获，从而在向背电极输运中 被捕获到越来越深的阱中。 而在热处理过程中已捕获在深阱中电荷 由于多次老化的温度所提供的有限值的热能 不足以引起它们激发脱阱。循环处理次数越 多，深阱对浅阱储存电荷的比例越高。; 氟聚合物驻极体和硅驻极体的陷阱分布几何特征 十分有趣的是：在驻极体的实际应用中最重要 的几种高绝缘性氟聚合物材料和硅材料： FEP、PTFE、PFA和SiO2等的不同能值的陷阱 表现出特殊的几何分布规律： ◆较浅的电子陷阱的大多数（如能值为1eV左右） 位于材料的近表面； ◆较深的电子陷阱（如能阱从1.3至1.7eV）则分布 在整个样品（表面和体内）。; 下图（图3）中粗实线表示了常温负电晕充 电的Teflon FEP驻极体的开路TSD电流谱线。 1） 148℃峰（对应脱阱电荷的活化能约为1eV） 的大部分释放电荷能阱位于材料的体表（平 均电荷重心离充电自由面仅为0.7?m）； 2）214℃和250℃峰（对应活化能分别为1.7和 1.4eV）的较高能值陷阱的脱阱电荷则在体内 占有较大比例。; 图 3. 常温负电晕充电和不同束能电子束充电的FEP薄膜 驻极体的开路TSD电流谱 ; 图 4. 常温负电晕充电和不同束能的电子束充电的PFA驻 极体的开路TSD电流谱 ; C充电前的淬火; 充电前的淬火是改善驻极体电荷稳定性另一类重要的热处理方法。这种改性是和淬火后材料的晶体结构的变化密切相关。 ;淬火对驻