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宽谱光源对CMOS阵列电串扰的影响.pdf
第 46 卷第 1 期 红外与激光工程 2017 年 1 月
Vol.46 No.1 Infrared and Laser Engineering Jan. 2017
宽谱光源对 CMOS 阵列电串扰的影响
赖莉萍 1，付 博 2，张蓉竹 1
(1. 四川大学 电子信息学院，四川 成都 610064 ；
2. 中国工程物理研究院流体物理研究所，四川 绵阳 621900)
摘 要： CMOS 阵列探测器中，像素单元间的串扰会影响其成像质量。为了解不同光源对 CMOS 电串
扰的影响，针对 CMOS 图像传感器的电串扰特性建立了一个分析模型，结合 CMOS 图像传感器的工
作原理定量计算了单色光、宽谱光源入射条件下的电??扰特性。分析结果表明 CMOS 图像传感器的
电串扰随单色光波长、宽谱光源谱宽和中心波长的增大而增大，但中心波长与单色光波长相同的宽谱
光源，其对电串扰的影响大于单色光。辐照功率为 600 W，单色光波长为 1 064 nm，电串扰大小约为
μ
50.611 mV；宽谱光源中心波长为 1 064 nm，谱宽为 400 nm 时，电串扰的大小约为 50.914 mV，相比于
单色光电串扰增加了约 0.303 mV。
关键词： 宽谱光源； 阵列探测器； CMOS 图像传感器； 电串扰
中图分类号： TN211 文献标志码： A DOI： 10.3788/IRLA201645.0120005
Effect of broadband sources on electrical crosstalk of CMOS array
Lai Liping1, Fu Bo2, Zhang Rongzhu1
(1. School of Electronics and Information Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China;
2. Institute of Fluid Physics, China Academy of Engineering Physics, Mianyan 621900, China)
Abstract: The crosstalk between the pixel units is the key parameter for the imaging quality of CMOS
array detector. The mathematical analysis model of the electrical crosstalk was established in order to
explore the influence of different light sources on the electrical crosstalk of CMOS. Furthermore, the
characteristics of electrical crosstalk under the illumination of monochroma
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