模拟电子电路第二章基本放大电路4.pptVIP

2.6　基本放大电路的派生电路;2.6.1　复合管及其用途(P111 ) 一、　复合管的构成及β的计算 (1) 构成与计算 a.　同类型管的复合 如P112图2.6.1(a)、(b)所示，以图(a)为例，复合管的β值和rbe计算如下：;图2.6.1(a) 两只NPN型管构成的NPN复合管;Ic; rbe＝rbe1＋(1+β1)rbe2 ≈ rbe1＋β1rbe2;iE2;图2.6.1 两只不同类型管构成的复合管;rbe=rbe1 ;(2)　复合管的构成原则 a.　把两只管子构成一只复合管，必须保证每一只管子的电流都能顺着各管的正常电流方向流动，否则，构成的复合管是错误的。;b.　 向内流的复合管为NPN型复合管， 向外流的复合管为PNP型复合管； 的流向由T1的 决定，即复合管的导电极性取决于第一只管子。 c.　复合管的β≈β1β2 d.　同类型复合管，rbe≈rbe1＋β1rbe2 互补型复合管，rbe＝rbe1;(3)　复合管的用途 a.　可以提高单管的输入电阻(同类型复合管)。 b.　解决大功???管的配对难的问题。 c.　解决大功率管β值小的问题。 一般大功率晶体管的β值都比较小，在要求工作电流较大的场合(电源调整管)，必须使 Ib较大，但Ib只有μA数量级，这时必须采用复合管。;复合管因其等效电流放大系数很高，等效输入电阻亦很高，特别是当它制成集成器件时，使用方便而受到拥护的欢迎。复合管又称为达林顿管。;二、复合管共射放大电路;图2.6.2　 (b)　交流等效电路;图2.6.2　 (b)　交流等效电路;电压放大倍数;分析表明，复合管共射放大电路增强了电流放大能力，从而减小了对信号源驱动电流的要求，从另一角度看，若驱动电流不变，则采用复合管后，输出电流将增大约β倍。;三、复合管共集放大电路;图2.6.3 (b) 交流通路;由图(c)可知;输入电阻;显然，由于采用复合管，输入电阻Ri中与Rb相并联的部分大大提高，而输出电阻Ro中与Re相并联的部分大大降低，使共集放大电路Ri大、Ro小的特点得到进一步的发挥。;从式(2.6.4)可知，共集放大电路的输入电阻与负载电阻有关；从式(2.6.5)可知，共集放大电路的输出电阻与信号源内阻有关.但是必须特别指出，根据输入、输出电阻的定义，无论什么样的放大电路，Ri均与Rs无关，而Ro均与RL无关。;2.6.2 共射—共基放大电路;T1组成共射电路，T2组成共基电路，由于T1管以输入电阻小的共基电路为负载，使T1管集电结电容对输入回路的影响减小，从而使共射电路高频特性得到改善。;　　由图2.6.4可以推导出电压放大倍数Au的表达式。设T1的电流放大系数β1，b-e间动态电阻为rbe1，T2的电流放大系数为β2，则;因β21，即β2/(1+β2)≈1，所以;2.6.3　共集—共基放大电路;它以T1管组成的共集电路作为输入端，故输入电阻较大；以T2管组成的共基电路作为输出端，故具有一定电压放大能力；由于共集电路和共基电路均有较高的上限截止频率，故电路有较宽的通频带。;根据具体需要，还可以组成其它电路，如共漏－共射放大电路，既保持高输入电阻，又具有高的电压放大倍数。可见，利用两种基本接法组合，可以同时获得两种接法的优点。;2.7　FET放大电路;图2.7.1 (a)共源放大电路;图2.7.1 (b)共漏放大电路;图2.7.1 (c)共栅放大电路;由于共栅电路很少使用，本节只对共源和共漏两种电路进行分析。;通常FET放大电路的偏置形式有两种，现以N沟道耗尽型JFET为例说明如下： (1)自偏压电路(P118) ; 　　考虑到耗尽型FET即使在uGS＝0时，也有漏源电流流过R，而栅极是经电阻Rg接地的，所以在静态时栅源之间将有负栅压uGS ＝－IDR。图中电容C对R起旁路作用，称为源极旁路电容。 　　增强型FET只有栅源电压先达到某个开启电压Uon时才有漏极电流ID，因此这类管子不能用于图2.7.4a所示自偏压电路。;图2.7.4 (b) 由N沟道耗尽型管 　　　　 组成的自偏压电路;图2.7.4 (b) 由N沟道耗尽型管 　　　　 组成的自偏压电路;　　求解Q点时，可先在转移特性上求得UGS=0时的iD，即IDQ；然后利用式(2.7.2)求出管压降UDSQ。;2. 分压器式偏置电路P119 虽然自偏压电路比较简单，但当静态工作点决定后，UGS和ID就确定了，因而R选择的范围很小。分压器式自偏压电路是在图2.7.4a的基础上加接分压电阻后组成的，如图2.7.5所示。;图2.7.5 FET分压式偏置电路;漏极电源VDD经分压电阻Rg1和Rg2分压后，通过Rg3供给栅极电位UG＝Rg2VDD/(Rg