微电子器件(4-6)学案.ppt

4.6 MOSFET 的小信号参数、高频等效电路及频率特性 ; 非饱和区; 以 VGS 作为参变量的 gm ~ VDS 特性曲线; 2、漏源电导 gds; 实际上，IDsat 随着 VDS 的增加而略微增大，使 ( gds )sat 略大于 0 。降低 ( gds )sat 的措施与降低有效沟道长度调制效应的措施是一致的。; ; 4.6.2 MOSFET 的小信号高频等效电路 ; 上图中各元件的值与工作点有关。模拟电路中的 MOSFET一般工作在饱和区，饱和区中各元件可由下式表示; 为了反映 IDsat 随 VDS 增加而略有增大的实际情况，rds 应为有限值。于是可得饱和区的等效电路 ; 为了提高 fgm ，从器件制造角度，主要应缩短沟道长度 L ，其次是应提高载流子迁移率 ? ，所以 N 沟道 MOSFET 的性能比 P 沟道 MOSFET 好；从器件使用角度，则应提高栅源电压 VGS 。; 4、寄生参数 ; RS 为源体电阻与源电极接触电阻之和，它在共源极接??中起负反馈作用，使跨导 gm 降低，; RD 为漏体电阻与漏电极接触电阻之和，RS 与 RD 的存在会使 VDsat 增大，使 gds 减小，; 硅栅自对准结构 可减小交迭部分，从而减小 C?gs 与 C?gd 。; 4.6.3 最高工作频率和最高振荡频率; 输入电流; 输出电流; 当输出端短路时，vo = 0，因此 AV = 0，于是可得 MOSFET的高频小信号最大电流增益为; 当忽略寄生电容 C?gs 和 C?gd 时，得本征最高工作频率为 ; 提高最高工作频率 fT 的措施： 缩短沟道长度 L，提高载流子迁移率 ? ，提高栅源电压 VGS 。这些都与提高跨导的截止频率 fgm 的要求相同。 ; 当输出端共轭匹配，并忽略寄生电容 C?gs 和 C?gd 时，; 于是可得 MOSFET 的最大高频功率增益为; 提高 fM 的主要措施是提高 fT ，即缩短沟道长度 L，并提高rds ，即降低有效沟道长度调制效应。; 4.6.4 沟道渡越时间; 与跨导的截止频率以及最高工作频率相比较，可得