微电子CH3-晶体生长学案.ppt

第三章 晶体生长;晶体生长理论基础;天然晶体的生长;2. 由液相转变为固相： 1）从熔体中结晶，即熔体过冷却时发生结晶现象； 2）从溶液中结晶，即溶液达到过饱和时，析出晶体； 3）水分蒸发，如天然盐湖卤水蒸发，盐类矿物结晶出来。 ;3. 由固相变为固相：;固溶体分解，一定温度下固溶体可以分离成为几种独立矿物； 变晶，矿物在定向压力方向上溶解，而在垂直于压力方向上结晶，因而形成一向延长或二向延展的变质矿物，如角闪石、云母晶体等； 由固态非晶质结晶，火山喷发出的熔岩流迅速冷却，固结成为非晶质的火山玻璃，这种火山玻璃经过千百年以上的长 时间以后，可逐渐转变为结晶质。;晶体形成的热力学条件;不同物相的转化，从气相、液相或非晶相转为固相时都要放热，体系自由能的变化量ΔG0 。 在相同的热力学条件下，与同种化学成分的气体、液体或非晶体相比，晶体的内能最小。即晶体最稳定。 相变过程的驱动力： ΔG0，相变过程自发进行； ΔG=0，相变过程自发达到平衡； ΔG0，相变过程不能自发进行；;;*;*;*;概括来说， 气-固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和蒸气压。 溶液-固相过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和度。 熔体-固相过程时，要析出晶体，要求有一定的过冷度。　　　　　　　　　　　;晶核的形成;在母相中形成等于或超过一定临界大小的新相晶核的过程称为“成核”； 形成固态晶核有两种方法： 1）均匀成核，又称自发成核。 2）非均匀成核，又称非自发成核。;均匀成核：旧相中各个区域出现新相晶核的几率相同，晶核由液相中的一些原子团直接形成，不受杂质粒子或外来表面的影响。;非均匀成核：若新相优先在旧相某些区域中存在的异质处成核，即依附于液相中的杂质或外来表面成核。;气相中的均匀成核;气相中的均匀成核;晶体熔化后的液态结构是长程无序的； 在短程范围内却存在着不稳定的接近于有序的原子集团； 它们此消彼长，出现结构起伏或叫相起伏。 ;当温度降到结晶温度时，这些原子集团就可能成为均匀成核的“胚芽”，称为晶胚。 ;经典成核理论;经典???核理论;经典成核理论;经典成核理论;表面能改变量△GS与晶胚半径 r2 成正比，而体积自由能改变量△GV与晶胚半径 r3成正比，△GV比△GS变化快。;在晶胚生长初期，△GS大于△GV，二者之和为正，所以晶胚的体系自由能改变量△G增大。;因为△GV比△GS变化快，所以△G增加到极大值△G*后就会开始下降，与△G* 相对应的晶胚半径称临界半径r*。;此后，再随着晶胚半径r的增大， △G逐渐减小至0，此时对应的晶胚半径称稳定半径 r0。;当rr*时，体系的自由能增加，晶胚难以生成，即消失的机率大于长大的机率。 当r=r*时，体系自由能不再增大，晶胚长大的机率与消失的机率相等。 当rr*时，体积自由能占主导地位，r增大能使体系自由能降低。但如果rr0 则体系的ΔG仍大于0，晶胚不稳定。 当rr0时， 随着r的增大，ΔG减小，且ΔG0，晶胚能稳定长大成为晶核。;按半径的大小r*rr0的晶胚称亚稳晶核，rr0的晶胚称稳定晶核，r=r*的晶胚称临界晶胚。;实际应用： 体系的过饱和度、过冷度越大，相应的△gV就大，进而造成r*， △G*小。 如要生长大单晶，则希望r*尽可能大，所以要求体系过饱和度、过冷度尽可能小。 如要生长微晶，则希望r*尽可能小，则要求体系过饱和度、过冷度尽可能大。;非均匀成核;非均匀成核;晶体生长的一般过程是先生成晶核，而后再长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段： ①介质达到过饱和、过冷却阶段； ②成核阶段； ③生长阶段。 关于晶体生长的有两个理论： 1.层生长理论；2.螺旋生长理论。;当晶体生长不受外界任何因素的影响时，晶体将长成理想晶体，它的内部结构严格服从空间格子规律，外形应为规则的几何多面体，面平、棱直，同一单形的晶面同形长大。 实际上晶体在生长过程中，真正理想的晶体生长条件是不存在的，总会不同程度的受到复杂外界条件影响，因而不能严格地按照理想发育。 ;晶体长大的动力学模型;此模型假定晶体是理想完整的，并且界面在原子层次上没有凹凸不平的现象，固相与流体相之间是突变的 这显然是一种非常简单的理想化界面，与实际晶体生长情况往往有很大的差距。;所以晶体在理想情况下生长时，先长一条行列，然后长相邻的行列。在长满一层面网后，再开始长第二层面网。晶面是平行向外推移而生长的。 ;所以晶体在理想情况下生长时，先长一条行列，然后长相邻的行列。在长满一层面网后，再开始长第二层面网。晶面是平行向外推移而生长的。 ;层生长理论的局限： 按层生长理论，晶体在气相或在溶液中生长时，过饱和度要达到25%以才能生长，而且生长不一定会连续； 实际上，某些生长体系