微电子器件(2-4)学案.ppt

2.4 PN 结的击穿; 2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子 ; ?i 与电场 E 强烈有关，如下图所示; 2、雪崩倍增因子 包括碰撞电离作用在内的流出耗尽区的总电流与未发生碰撞电离时的原始电流之比，称为 雪崩倍增因子，记为 M 。; 原始电流：; 同理，由于电子的碰撞电离在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx ) 面的空穴数目为; 为简便起见，假设 ，则流出 ( x+dx ) 面的总的新增空穴数目为;; 当 ，总电流就是原始电流 J0 ，表示无雪崩倍增效应。; 2.4.2 雪崩击穿 1、利用雪崩击穿条件计算雪崩击穿电压 对一定掺杂浓度的 PN 结，先计算出对应于各反向电压 V 的 E(x)，及与 E(x) 对应的 ?i (x) ，再求电离率积分。当 V 增大到使该积分等于 1 时，所对应的 V 就是雪崩击穿电压 VB 。; 由于 ?i 随 E 的变化很剧烈，所以 对积分起主要作用的 只是电场峰值附近很小一部分区域。这个区域内 Emax 几乎不变，因此可以近似认为，当 Emax 达到某 临界电场 EC 时，即满足击穿条件，从而发生雪崩击穿。;对于突变结，; 也可通过查曲线求得突变结的雪崩击穿电压 VB 。; 对于线性缓变结，; 或通过查曲线求得线性缓变结的雪崩击穿电压 VB 。; 实际 PN 结的击穿电压; 方法 ：根据实际 PN 结的具体情况，分别近似看作单边突变结或线性缓变结，再用相应公式进行计算。; 4、击穿电压的测量 常采用类似于测量正向导通电压 VF 的方法。; 5、结的结构对雪崩击穿电压的影响 只有满足以下条件的 PN 结，才能使用以上公式与曲线来计算击穿电压 VB 。;（1）高阻区厚度的影响;（2） 结面曲率半径的影响 由扩散工艺所形成的 PN 结，在结面的四周和四角会形成柱面与球面。; 6、提高雪崩击穿电压的措施; 2.4.3 齐纳击穿 1、隧道效应 由于电子具有波动性，可以有一定的几率穿过势垒。势垒越薄，隧道效应就越明显。; 当掺杂浓度恒定而反向电压提高时，势垒区宽度 xd 增大，但因势垒区中的电场 |Emax| 增强，所以隧道长度 d 反而缩短。; 随着反向电??的提高，|Emax| 增大，隧道长度 d 缩短，使得反向电流增大。当反向电压增大到使 |Emax| 达到临界值时，d 变得足够小 ，使反向电流急剧增大 ，这种现象就称为 齐纳击穿 ，或 隧道击穿。 ; 一般说来，当 时为雪崩击穿，当 时为齐纳击穿。;反向电压 V↑→功率 PC = V I0↑→ 结温 Tj↑→ I0↑; 式中 Ta 代表环境温度，RT 代表 热阻，其计算公式为; 防止热击穿最有效的措施是降低热阻 RT 。此外 ，半导体材料的禁带宽度 EG 越大，则 I0 越小，热稳定性就越好，因此硅 PN 结的热稳定性优于锗 PN 结。