电工电子技术 教学课件 作者 明立军 刘雅琴 第八章.ppt

第8章 ;【学习目标】 1）了解三极管的结构、分类，掌握三极管电流分配和放大作用； 2）掌握三极管的输入特性和输出特性； 3）了解三极管的常用参数； 4）理解基本放大电路的组成和工作原理； 5）理解具有稳定工作点的放大电路的工作原理； 6）了解场效应管的分类、结构、工作原理及特点。;8.1 半导体三极管; 半导体三极管的分类： 按结构分，有NPN型三极管和PNP型三极管； 按半导体的材料分，有硅三极管和锗三极管； 按功率大小分，有大、中、小功率管； 按工作频率分，有高频管和低频管； 按作用分，有放大管和开关管等等。; 2.半导体三极管的电流分配与放大作用 ; NPN型三极管共射极放大电路如下图所示，其中电源UBB和UCC保证了发射结正向偏置和集电结反向偏置。; (1)载流子的运动 1）发射区向基区注入载流子 2）电子在基区扩散和复合 3）电子被集电区收集 三个电极的电流分别为：; 2）集电极电流IC与基极电流IB的关系： ; 三极管放大电路具有的电流、电压放大作用，其能量都来自外加的直流电源，三极管本身是不能产生能量的，它只是起了“以小控大”的能量控制作用。;【三极管输入特性曲线测试电路图】; Rb;【三极管共发射极输入特性曲线】; (2)输出特性曲线; 三极管的输出曲线可以划分为三个区域： （1）截止区 一般习惯上把iB=0的那条曲线以下的部分称为截止区。 （2）放大区 发射结正向偏置、集电结反向偏置的区域称为放大区。 （3）饱和区 三极管发射结、集电结均处于正向偏置。 三种状态的条件和特点见列表。 ; (3)温度对三极管特性的影响; 4.晶体三极管的参数; 3）集电极－基极反向饱和电流ICBO 指发射极断路时，集电极、基极间的反向饱和电流。 4）集电极－发射极反向饱和电流ICEO 指基极断路时，集电极、发射极间的穿透电流，它是ICEO 的 倍，即 。 5）集电极最大允许功耗PCM 这个参数决定于管子的温升，使用时不能超过，而且要注意散热条件。硅管最高允许结温为150℃，锗管最高允许结温只能达到70℃。若一个管子 PCM 的已确定，则由 可知临界损耗时 IC 和 UCE，在输出特性上的关系为一双曲线。; 6）集电极最大电流 当集电极电流IC超过一定数值后，β会明显下降，此值就称为集电极最大电流ICM。 7）反向击穿电压 当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压-U(BR)CEO，一般为几十伏。 当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反向电压-U(BR)CBO ，通常比-U(BR)CEO大些。 当集电极开路时，发射极与基极之间所能承受的最高反向电压-U(BR)CBO ，一般为5V左右。;8.2 共发射极基本放大电路; (1)各元件的作用 1）晶体管 2）集电极电源VCC 3）集电极负载电阻 RC 4）基极电源和基极电阻Rb 5）耦合电容C1和C2 (2)放大电路的组成原则 1）直流电源的设置应使三极管的发射结正向偏置、集电结反向偏置。 2）元件的安排要保证信号能够从放大电路的输入端加到三极管上，经过放大后又能从输出端输出。 3）元件参数的选择要保证信号能不失真地放大，并满足放大电路的性能指标。; (3）放大电路中电压和电流的符号 为了便于分析，对电路中各极电流、电压的符号作了统一规定： 1）直流量用大写字母加大写下标表示。如：IB、IC、IE、UCE。 2）交流量用小写字母加小写下标表示。如：ib、ic、uce。 3）交直流叠加的总电量小写字母加大写下标表示。如： ib、ic、uce 。 4）交流量的有效值大写字母加小写下标表示。如：Ib、ube。; 2.共发射极基本放大电路的静态分析; 一个放大电路的静态工作点的设置是否合适，是放大电路能否正常工作的重要条件，是十分必要的。 当静态工作点设置不当和输入信号幅度较大时,放大电路的工作范围超出了三极管特性曲线的线性区，将造成非线性失真，，主要是截止失真和饱和失真。;3.共发射极基本放大电路的动态分析 ; 由于电路中基极电流、集电极电流、基极和发射极之间的电压、集电极与发射极之间的电压都是直流成份和交流成份的