第11章晶体生长和缺陷-crystal.ppt

第11章?晶体的形成和晶体的缺陷;11.1 晶核的形成 成核是一个相变过程，即在母液相中形成固相小晶芽，这一相变过程中体系自由能的变化为： ΔG=ΔGv+ΔGs 式中△Gv为新相形成时体自由能的变化，且△Gv＜0, △GS为新相形成时新相与旧相界面的表面能，且△GS＞0。 也就是说，晶核的形成，一方面由于体系从液相转变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降，另一方面又由于增加了液 - 固界面而使体系自由能升高。; 晶体形成的一般过程是先生成晶核，而后再逐 渐长大。 一般认为晶体从液相或气相中形成有三个阶段： 1、介质达到过饱和、过冷却阶段； 2、成核阶段； 3、生长阶段。;成核作用与晶核;以溶液情况为例，说明成核作用的过程;设结晶相与液相自由能差为△Gv（＜0） 两相界面表面能为△Gs（＞0） 体系总自由能的变化为△G＝ △Gv＋ △Gs;;成核作用分为： 1、均匀成核：在体系内任何部位成核率相等。 2、不均匀成核：在体系的某些部位的成核率高 于另一些部位。;11.2 形成晶体的方式;1 气体凝华结晶：气态物质不经过液态阶段直接转变成固体。; (1)同质多象转变： 在一定热力学条件下，由一种结晶相转变为另一种结晶相。它们在转变前后的成分相同，但晶体结构不同。;11.3 晶体的生长; 1．层生长理论（科塞尔理论模型）;; 晶体在理想情况下生长时，先长一条行列，再长相邻的行列；在长满一层原子面后，再长相邻的一层，逐层向外平行推移。; （1）晶体常生长成为面平、棱直的多面体形态。;2． 螺旋生长理论; 位错的出现，在晶体的界面上提供了一个永不消失的台阶源（凹角）。;晶体螺旋生长示意图;螺旋生长过程模拟;SiC晶体表面的生长螺旋纹 ;3．布拉维法则;a＞b;布拉维法则图示;结论： 在一个晶体上，各晶面间的相对生长速度与它们本身面网密度的大小成反比，即面网密度越大的晶面，其生长速度越慢；反之越快。 晶体上的实际晶面往往平行于面网密度大的面网 !; 4．居里—乌尔夫原理; 居里－乌尔夫原理：对于平衡形态而言，从晶体中心到各晶面的距离与晶面本身的比表面能成正比 (即各晶面的生长速度与各晶面的比表面能成正比）。; 4．周期键链(PBC)理论;;11.4 影响晶体生长的外部因素; (1) 涡流 ; 温度的变化直接导致了过饱和度或过冷却度的变化，相应的改变了晶面的比表面能及不同晶面的相对生长速度，影响晶体形态。;（3）杂质;（4）粘度 粘度的加大，将妨碍涡流的产生，溶质的供给只有以扩散的方式来进行，晶体在物质供给十分困难的条件下生成。由于晶体的棱角部分比较容易接受溶质，生长得较快，晶面的中心生长得慢，甚至完全不长，从而形成骸晶。; (5)结晶速度 结晶速度大，则结晶中心增多，晶体长的细小，且往往长成针状、树枝状。反之，结晶速度小，则晶体长得极大。结晶速度还影响晶体的纯净度。快速结晶的晶体往往不纯，包裹了很多杂质。;11.5 晶体的缺陷;零维 一维 二维 三维;1 点缺陷;Frenkel;2 线缺陷 —— 位错; 1. 刃型位错; 晶体中由已滑移区与未滑移区的交界处，原子严重错排而造成的晶体缺陷称为位错。 E-F线称为位错线。由于它 像刀刃，所以称为刃型位错。 正、负刃位错分别用“⊥”、“ ”表示。;特点:;2、螺位错;电子显微镜下的位错;柏氏矢量;A;螺位错柏氏矢量的确定步骤：;2、柏氏矢量的意义;3 面缺陷 —— ???面;亚晶界：;完全共格界面： 界面上的原子为相邻两个晶粒所共有。 当两晶粒晶面间距相等或稍有错配时才可能形成。 理想的少见，实际中稍有错配时，界面附近有应变。; 半共格界面： 当相邻晶粒的晶面间距相差较大时，将由若干位错来补偿其错配，出现共格区与非共格区相间界面。 ;非共格界面： 当两相邻的晶粒的晶面间距相差很大时，界面上的 原子排列完全不吻合，出现高缺陷分布的界面。 ;形成置换型固溶体的点阵畸变;Zr与Ti的晶体结构;考试题目;格式要求;论文截止日期：