第1章[模电]常用半导体器件.pptVIP

第一章 半导体器件基础;1.1 半导体的基本知识; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发，也称热激发。; 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。;自由电子 带负电荷 电子流;二. 杂质半导体;N型半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;杂质半导体的示意图;内电场E; 动画演示;2. PN结的单向导电性;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结的伏安特性曲线及表达式; 根据理论分析：;4.PN结的电容效应;4.PN结的电容效应;1.2 半导体二极管; 二极管按结构分三大类：; 平面型二极管;半导体二极管的型号; 一 、半导体二极管的V—A特性曲线;二. 二极管的主要参数;二极管的简易测试;四· 二极管使用注意事项;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数; 稳压二极管的主要 参数;2?发光二极管;3?光电二极管; 1.3 半导体三极管及模型;一.BJT的结构;二. BJT的分类;三． BJT的内部工作原理（NPN管）; （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。;（3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。;2．电流分配关系;(2)IC与I B之间的关系：;四. BJT的特性曲线（共发射极接法）; (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;五. BJT的主要参数; 2.极间反向电流; 3.极限参数; （3）反向击穿电压; 六. 三极管的模型及分析方法;截止状态;二. BJT电路的分析方法（直流）;+VCC;2. 图解法 模拟(p54~56); 半导体三极管的型号; 1.4 场效应管;一. 绝缘栅场效应三极管; 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;（3）特性曲线; ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm：; 2.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线; 3、P沟道耗尽型MOSFET;4. MOS管的主要参数;本章小结