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第六章 80C51单片机内部功能单元及应用;6.1并行I/O端口;6.1.1 P0口;2．P0口作为通用I/O口 1）输出时 CPU发出控制电平“0”封锁“与”门，将输出上拉场效应管T1截止，同时使多路开关MUX把锁存器与输出驱动场效应管T2栅极接通。故内部总线与P0口同相。由于输出驱动级是漏极开路电路，当驱动NMOS或其它电流负载时，需要外接上拉电阻。P0的输出级可驱动8个LSTTL负载。;2）输入时---分读引脚和读锁存器 读引脚：由传送指令(MOV)实现； 读锁存器：读锁存器是先从锁存器中读取数据，进行处理后，将处理后的数据重新写入锁存器中，这类指令成为“读-修改-写”指令。 例如CPL P0.0指令执行时，单片机内部产生“读锁存器”操作信号，使锁存器Q端的数据送到内部总线，在对该位取反后，结果又送回P0.0的端口锁存器并从引脚输出。 “读锁存器”可以避免因引脚外部电路的原因而使引脚的状态发生改变造成误读。 ;;3．P0作为地址/数据总线 当P0口作地址/数据复用总线用之后，就再也不能作通用I/O口使用了。 1）P0引脚输出地址/数据信息。 2）P0引脚输出地址/输入数据 ;;1. 位电路结构 P1口的位电路结构如图6-2所示，内部包含输出锁存器、输入缓冲器（读引脚、读锁存器）以及由FET晶体管与上拉电阻组成的输出/输入驱动器。;．P1口作为通用I/O口 1）P1.X作I/O口的输出线 当CPU对P1.X锁存器写入高电平“1”时，/Q=“0”，场效应管V1截止，P1.X引脚输出高电平。当CPU对P1.X锁存器写入低电平“0”时，/Q=“1”，场效应管V1导通，P1.X引脚输出低电平。注意输出高电平不要带较重的负载。;2）P1.X作I/O口的输入线 软件首先对P1.X锁存器写高电平“1”，使场效应管V1截止，P1.X引脚呈高电平“1”；很微弱的电流就可把P1.X引脚拉为低电平，所以P1.X引脚的电平是随外电路驱动的电平变化而变化；软件读P1.X引脚时，CPU使“读引脚”=“1”，三态缓冲器1导通，将P1.X引脚的电平读入内部数据总线。;6.1.3 P2口 P2口也是一个准双向口 ,P2口能带3~4个TTL负载。可以字节访问，也可位访问，其字节访问地址为A0H，位访问地址为A0H～A7H。 1．位电路结构 P2口有8条端口线，命名为P2.7~P2.0，每条线的结构如图6-3所示。它由一个输出锁存器、转换开关MUX、两个三态缓冲器、一个非门、输出驱动电路和输出控制电路等组成。输出驱动电路上有上拉电阻。 ;;;P3口作为第二功能使用 通常情况下，P3口的第二功能在应用中更为重要，此时各引脚定义如表6-1所示。 ;基本I/O口的应用举例 １．P0口输出功能应用举例 【例1】P0口做通用I/O输出口，控制8只发光二极管从左到右依次点亮，再依次熄灭，电路图如图6-5所示。;#include AT89X51.H unsigned char i; unsigned char temp; unsigned char a,b; void delay(void) //循环间隔时间 { unsigned char m,n,s; for(m=20;m0;m--) for(n=20;n0;n--) for(s=248;s0;s--); } void main(void) { while(1) { temp=0xfe; P0=temp; delay(); ;2．P2口输入、P1口输出功能应用举例 【例2】利用8个拨动开关，把8位数据送到P2口，程序读入，然后送P1口显示。如图6-6所示：;【C程序】： #includereg52.h #includeintrins.h #define uchar unsigned char #define uint unsigned int #define key P2 #define led P1 void main() { while(1) { led=key; } };3．P1口输入功能应用举例 【例3】P1.5、P1.6、P1.7做输入口使用，P0口连接8只发光二极管，要求通过与P1.5、P1.6、P1.7相连的3个按键来控制P0口的循环灯的循环速度，电路图如图6-5所示，输出部分如图6-7。; 参考程序如下： #include reg52.h #include intrins.h #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbi