功率MOSFET测试报告.doc

PAGE   PAGE 1 文件编号： 4310测试报告 器件名称N沟道功率MOSFET器件型号（编号）供应商料号品牌供应商 检验日期 测试员校对批准 测试项目： 序号测试项目备注1外观检验■1Vgs耐压测试■2Vds耐压测试■3MOS管Rds on（导通内阻）■4持续带载能力测试■5短路保护性能测试■ 测试设备： 设备名称设备型号用量设备名称设备型号用量恒流电源RXN-605D3PCS万用表34401A1PCS电子负载3711A2PCS示波器TDS1012B1PCSGW1210S锂电保护板1PCS 各项指标测试方法及测试结果： 外观检验 检验项目检验标准检验结果判定结果器件丝印合格品牌标识合格光洁度合格引脚有无氧化合格SGS报告Vgs耐压测试： 测试方法：采用直接在被测MOS管Vgs两端加正负驱动电压的方式，记录MOS管G/S极有250ua漏电流的Vgs电压。 测试结果： 样品序号器件规格测试结果判定结果1±20V+50V合格2+50V合格3+50V合格4+50V合格5+50V合格Vds耐压测试： 测试方法：用10K电阻将被测MOS管的G/S极驱动拉低为0V，使MOS管处于截止状态，在D/S极加入正电压，逐渐调高此电压至MOS管D/S极间有250ua漏电流，记录此时的电压 测试结果： 样品序号器件规格测试结果判定结果1+75V110V合格2110V合格3110V合格4110V合格5110V合格 MOS管导通内阻（Rds on） 测试方法：在MOS管G/S极间加10V±1V驱动电压，使MOS管处于饱和导通状态，以10A恒定电流流过MOS管的D/S极，用高精度万用表测试被测MOS管D/S极间电压，再根据欧姆定律计算出MOS管此时的导通内阻。 测试结果： 样品序号器件规格测试结果判定结果1MAX 7.0mR6.8不合格26.5不合格36.0不合格46.7不合格56.5不合格 5、 持续带载能力测试 测试方法: 室温条件下,在MOS管G/S极间加10V±1V驱动电压，使MOS管处理导通状态，以10A恒定电流流过MOS管的D/S极，测试30分钟以上,采用温度计测量MOS管表面温度,用此温度减去当前室温,计算出MOS管在10A电流负载情况下的温升。 测试结果:（测试数量：1PCS） 时间 （分）MOS管表面温度(℃)环境温度 (℃)DS压降 (mv)DS内阻 （mΩ）测试结果判定结果131.227MOS管温升:28.2℃不合格541.41045.41550.22052.12553.73054.23555.2