半导体中的电子状态综述.ppt

第一章 半导体中的电子状态;1、金刚石型结构和共价键;共 价 键 的 特 点;金刚石型结构{100}面上的投影：;2、闪锌矿结构和混合键;沿着[111]方向看，（111）面以双原子 层的形式按ABCABCA…顺序堆积起来。;3、纤锌矿型结构;4、氯化钠型结构;§ 1.2 半导体中电子的状态 与能带的形成; 假设每个电子是在周期性排列且固定不动的 原子核势场及其他电子的平均势场中运动， ? 该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。;一.能带论的定性叙述;2.晶体中的电子;;(2)能级分裂;A . B 两原子相互靠近,;相互靠近组成晶体后： ;b. p 能级（l=1, ml=0,?1）;c. d 能级（l=2, ml=0,?1,?2）;允带; 实际晶体的能带不一定同孤立原子的 某个能级相当。;金刚石型结构价电子的能带 对N个原子组成的晶体:共有4N个价电子;波函数：描述微观粒子的状态;1.自由电子;微观粒子具有波粒二象性;波矢k描述自由电子的运动状态。;2. 晶体中的电子;x;;布洛赫函数 uk(x), 是一个具有晶格周期的周期函数, n 为任意整数, a 为晶格周期.;3. 布里渊区与能带;能量不连续，形成允带和禁带。;-π/1; 禁带出现在布里渊区边界（k = n/2a）上。 每一布里渊区对应于每一能带。;;E（k）- k的对应意义：; ? 能带的宽窄由晶体的性质决定, 与晶体中含的原子数目无关, ? 但每个能带中所含的能级数目与 晶体中的原子数有关。;电子刚好填满最后一个带;3s;2.绝缘体和半导体的能带;（1）满带中的电子不导电 I（k）=-I（-k） 即是说，+k态和-k态的电子电流互相抵消。 （2）对部分填充的能带，将产生宏观电流。;Eg;;常温下： Si：Eg=1.12 eV Ge: Eg=0.67 eV GaAs: Eg =1.43 eV;本征激发 当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程 。;空穴 将价带电子的导电作用等效为带正电荷的准粒子的导电作用。;因此，在半导体中存在两种载流子：（1）电子； （2）空穴；而在本征半导体中，n=p。;§1.3 半导体中电子的运动 －－有效质量;从波动性出发, 电子的运动看成频率为?、 波矢为 K 的平面波在波矢方向的传输过程.;自由电子E与k 的关系;对 E(k)微分, 得到;;;二、半导体中的电子：;以一维情况为例：;;得到能带极值附近电子的速度为;(1)在整个布里渊区内，V~K不是线形关系.;(3) V(k) 的大小与能带的宽窄有关.;2. 加速度;令;称m*为电子的有效质量; 概括了半导体内部势场作用，使得在解决半导体中电子在外力作用的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。;三. m*的特点;因而，外层电子，在外力作用下可以 获得较大的加速度。;4. 对于带顶和带底的电子,有效质量恒定;0, m*0。 ; 能量、速度和有效质量与波矢的关系;§1.4 半导体中载流子的产生及导电机构;满带：电子数 = 状态数;1.满带;○;Ec;价带内ke态空出时，价带的电子产生的总电流，就如同一个带正电荷q的粒子以ke状态的电子速度V（ke）运动时所产生的电流。 ;电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的准自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位;二、半导体中的空穴;空穴波矢 kp;空穴的速度 ;2. 空穴的能量;空穴从价带顶Ev→ke，也就是电子从ke态到价带顶，将获得能量： ;空穴的有效质量记为 mp* ;由电子的波矢ke、能量E(ke)、有效质量 m*e等可推导出空穴的波矢kP、能量E(kp)、有效质量m*p及加速度 ：;一、半导体能带极值附近 E(k) 的分布;其中：;;;●;在长轴方向: m*大, E 的变化缓慢,;●;mt 为横向有效质量, ml 为纵向有效质量;(3) 极值点 k0 在原点;●;将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中, 电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc 与有效质量(对于球形等能面)的关系为:;测出共振吸收时电磁波的频率 ? 和磁感应强度 B，便可算出有效质量 m*。;E(k)等能面的球