阎石数字电子技术基础第3章山东大学资料.ppt

第三章 门电路;3.1 概述;在二值逻辑中，逻辑变量的取值不是１就是０， 在数字电路中，与之对应的是： 电子开关的两种状态。 半导体二极管 、三极管和MOS管， 则是构成这种电子开关的基本开关元件。 ;高电平和低电平是两种状态， 是两个不同的可以截然区别开来的电压范围。 ;1;4. 门电路的发展;1961年美国得克萨斯仪器公司率先将数字电路的元、器件制作在同一硅片上，制成了数字集成电路（Integrated Circuits，简称 IC）。 由于集成电路体积小、重量轻、可靠性好，因而在大多数领域里迅速取代了分立器件组成的数字电路。 直到20世纪80年代初，采用双极型三极管组成的TTL型集成电路一直是数字集成电路的主流产品。 TTL电路存在着一个严重的缺点，这就是它的功耗比较大。因此，用TTL电路只能做成小规模集成电路(简称SSI，其中仅包含10个以内的门电路）和中规模集成电路(简称MSI，其中包含10~100个门电路） 。;CMOS集成电路出现于20世纪60年代后期，它最突出的优点在于功耗极低，所以非常适合制作大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）。 随着CMOS制作工艺的不断进步，无论是在工作速度还是在驱动能力上， CMOS电路都已经不比TTL电路逊色。 因此， CMOS电路便逐渐取代TTL电路而成为当前数字集成电路的主流产品。 但在现有的一些设备中仍然在使用TTL电路。;3.2半导体二极管门电路;3.2.2 二极管与门 ;A 0 0 1 1;3.2.3 二极管或门;A 0 0 1 1;3.3 CMOS门电路;3.3.1 MOS管的开关特性;P沟道增强型;MOS管的基本开关电路---以N沟道增强型为例;MOS管的开关等效电路;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理; 1. VI=VIL=0V时 VGS2=0VVGS(th)N T2截止 VGS1=VI-VDD=-VDDVGS(th)P T1导通 VO=VOH≈VDD;二、电压、电流传输特性;电流传输特性：漏极电流随VI变化的特性;三、输入噪声容限;结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限;3.3.3 CMOS反相器的静态输入和输出特性;时，输入保护电路不起作用;二、输出特性---输出电压与输出电流的关系;因为VDD不变，导通性能不变，即RON不变;2、高电平输出特性 当输出为高电平时，工作状态如下图所示。;因为VDD不变，导通性能不变，即RON不变;3.3.4 CMOS反相器的动态特性;二、交流噪声容限VNA;三、动态功耗;3.3.5 其他类型的CMOS门电路;2.或非门 ;;3. 带缓冲级的CMOS门;二、漏极开路的门电路（OD门）Open-Drain Output;线与连接方法;;三、 CMOS传输门及双向模拟开关; 利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路，如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。;2. 双向模拟开关;四、三态输出的CMOS门电路;三态门的用途;3.3.6 CMOS电路的正确使用;3.3.7 CMOS数字集成电路的各种系列;AHC/AHCT系列：改进的高速CMOS系列（Advanced High-Speed CMOS/ Advanced High- Speed CMOS，TTL Compatible） tpd：5nS 带负载能力强：最大负载电流8mA AHC工作电压范围（2~5.5V） AHCT工作电压5V，输入、输出电平与TTL电路兼容;3.5 TTL门电路3.5.1 双极型三极管的开关特性;三极管反相器;3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 ;vI = VIL = 0.2V时;vI = VIH = 3.4V时;二、电压传输特性;二、电压传输特性;二、电压传输特性;三、输入噪声容限;3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性;当;二、输出特性---输出电压与输出电流的关系;（2）低电平输出特性;（3）扇出系数---输出端最多能带同类门的个数;三、 输入端负载特性;2、二级门级联接入电阻的情况;VOL;3.5.4 TTL反相器的动态特性;二、交流噪声容限;三、电源的动态尖峰电流;3.5.5 其他类型的TTL门电路;2. 或非门;二、集电极开路的门电路(OC门)---open collector gate;为克服上述局限性，输出级改为集电极开路的三极管结构。;OC门实现的线与;三、三态输