异质外延3C-SiC薄膜生长的进展资料.ppt

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2017-05-03 发布于湖北
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异质外延3C-SiC薄膜生长的进展资料.ppt

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异质外延3C-SiC薄膜生长的研究进展;异质外延3C-SiC薄膜的基本原理;异质外延3C-SiC薄膜的基本原理;异质外延3C-SiC薄膜的基本原理;外延生长：以H2或Ar/H2混合气体为载气，通入单源气体（同时含有Si原子和C原子的气体，如c-C3H6SiH2、CH3SiBr3、C7H20Si2、(CH3)2Si、(CH3)6Si2、(C2H5)2SiH2等）或多源气体（Si源气体：SiH4、SiH2Cl2等；C源气体：CH4、C3H8、C2H2等），升至生长温度（900~1400℃），反应气体高温分解并有控制地输运到衬底表面沉积成膜。 ;3C-SiC薄膜生长的研究难点;3C-SiC薄膜生长的研究难点- 界面孔洞 ;3C-SiC薄膜生长的研究难点- 界面孔洞;3C-SiC薄膜生长的研究难点- 结晶质量 ;3C-SiC薄膜生长的研究难点- 结晶质量;3C-SiC薄膜生长的研究难点- 结晶质量;3C-SiC薄膜生长的研究难点- 残余应力;3C-SiC薄膜生长的研究难点-反相畴界;3C-SiC薄膜生长的研究难点-反相畴界;3C-SiC薄膜生长的研究难点-反相畴界;3C-SiC薄膜生???的研究难点-层错与孪晶;3C-SiC薄膜生长的研究难点-层错与孪晶;3C-SiC薄膜生长的研究难点-层错与孪晶;3C-SiC薄膜生长的研究难点-可控掺杂;不同衬底Si晶面对3C-SiC薄膜生长的影响 ;结语;谢谢