课件11第五章：磁畴理论3浅析.ppt

第五章：磁畴理论;5-4 磁畴结构计算;;∴要将畴壁从横跨参杂物或空隙位置挪开必须外磁场做功 ∴材料总参杂物或空隙越多，畴壁磁化越困难，材料磁导率μ越低（比如铁氧体的μ很大程度上取决于内部结构的均匀性、参杂物与空隙的多少）。 ;2、应力的分布对磁畴结构的影响 Ms 的取向取决于(Fk+Fσ)的极小值，故Ms的分布将随应力的分布不同而变化。由此导致晶体内部产生磁极或退磁场，从而引起磁畴结构的改变。 1)、均匀应力的影响;x;x; 在同一晶粒内，各磁畴的磁化方向有一定关系，但在不同晶粒之间由于易磁化轴方向的不同，磁畴的磁化方向就没有一定的关系。就整块材料而言，磁畴有各种方向，材料对外显示各向同性。 多晶体中磁畴结构的稳定状态是相邻晶粒中磁畴取向尽可能使晶界面上少出现自由磁荷，使退磁场能极小（如图）。由图可见：跨过晶粒边界时，磁化方向虽转了一个角度，磁力线大多仍是连续的，这样晶粒边界上出现的磁极少。 当晶界面上退磁场能足够高时，会形成一定大小的锲形附加畴。;三、单畴颗粒;考虑球形单晶颗粒：;一、磁晶各向异性能较弱的颗粒的临界半径 这类颗粒在临界尺寸以上时，磁矩沿圆周逐渐改变方向，故需考虑交换能。由于其磁化取圆形磁通封闭式，故退磁场能为零，其他能量无需考虑。 以 r 表示圆半径，a 表示相邻原子间距，则一个圆周上有 个原子。 所以相邻两原子磁矩方向变化为：;;二、立方晶体单畴颗粒的临界半径 颗粒大于临界尺寸的立方晶体，其最简单的磁畴结构如图。其磁化都在易磁化方向，故无Fk ；没有内应力，也无外磁场，故不考虑Fσ与FH ，虽然有较弱的表面磁极。但Fd不占主要地位，可不计。——主要的能量是畴壁能。 而这里畴壁为900壁，所以颗粒的能量可近似写为畴壁能密度 乘以畴壁面积：;三、单轴晶体单畴颗粒的临界半径 这类晶粒大于临界尺寸时，其最简单的结构如图所示。此时，除需考虑畴壁能外，退磁场能不可忽略（约为单畴球形颗粒的退磁能的一半）。; 将单畴与非单畴的能量加以比较，从而求得的临界尺???，实际上是使球形颗粒保持单畴的最大半径（即临界半径的上限）; 估算得到的理论值，虽有实验事实的支持，但并未得到确证，从微磁学观点来看，其处理方法是不完善的。; 而李伯臧与薄富恪也做了微磁学严格导算，得出临界半径下限为：;薄膜畴壁 布洛赫畴壁和奈尔畴壁;;薄膜厚度; 右图给出二种畴壁能与厚度的关系，交叉点即为畴壁由布洛赫型向涅耳型转化的临界厚度。图中;三、磁畴的覌察;2、磁光方法;3、洛仑兹( Lorentz )电子显微术;4、磁力显微镜MFM;表面形貌图;