计算机逻辑电路第5章浅析.ppt

第5章 半导体器件 ;半导体二极管;半导体三极管;5.1 半导体的基本知识 ; 纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体。Si原子生成晶体时，其原子排列就由杂乱无章的状态变成了非常整齐的状态，原子间的距离都是相等的。研究一块纯净的Si晶体时，可发现每个原子有4个相邻的原子围绕着，每两个相邻原子间共有一对电子(称为价电子)，组成共价键结构，如图5.2所示。其本征半导体晶体结构如图5.3所示。 ; 束缚电子挣脱后，在原子外层上留下的一个空位子，称为空穴。空穴显示出的功效类似阳电荷(严格地说，空穴不是阳电荷)，所以，空穴也是一种载流子。 当半导体处于外加电压作用下时，通过它的电流可看作由两部分组成：一部分是自由电子进行定向运动形成的电子电流；另一部分是束缚电子在共价键上填补空穴形成的空穴电流。 但是，当一??自由电子进入空穴时，空穴就会消失，这称为复合， ; ; 因为这种掺杂后的半导体主要靠电子导电，电子是带负电的，所以掺入五价元素的杂质半导体称为N型半导体，也称电子半导体。在N型半导体中，自由电子是多数载流子，简称“多子”，空穴是少数载流子，简称“少子”。每个P原子在释放一个自由电子后便成为不能移动的正离子，由此产生了正离子—电子对。 同样，如果在Si晶体中掺入少量的三价杂质元素，例如硼(B)元素，可以获得过多的空穴。 ; 5.1.2 PN结及其单向导电特性 1. PN结的形成 物质从浓度大的地方向浓度小的地方运动叫扩散。当P型半导体和N型半导体结合在一起时，因为空穴在P区中是多子，在N区中是少子；同样，电子在N区中是多子，在P区中是少子，所以在P、N两区交界处，由于载流子浓度的差异，要发生电子和空穴的扩散运动，多子都要向对方区域移动。当电子和空穴相遇时会复合消失。假设扩散运动的方向由正指向负(P区指向N区)，则空穴将顺扩散运动方向移动，电子将逆扩散运动方向移动，如图5.8所示。; 扩散的结果在两区交界处的P区一侧，出现了一层带负电荷的粒子区(即不能移动的负离子)；在N区一侧，出现了一层带正电荷的粒子区(即不能移动的正离子)，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是PN结，如图5.9所示。 ; 2. PN结的单向导电特性 1) 外加正向电压Uf促使PN结转化为导通状态 正向电压又称正向偏置电压，简称正偏电压。 当PN结外加正向电压Uf(外电源的正极接P区，负极接N区)时，如图5.10(a)所示，则外电场的方向与扩散运动方向一致，加强了扩散运动，削弱了漂移运动。 ; (1)当0≤Uf＜UT时，UT为死区电压，或称门坎电压。这时由于外电场还不足以克服内电场对载流子扩散所造成的阻力，所以正向电流If几乎为零，PN结呈现出一个大电阻，好像有一个门坎，如图5.10(b)所示。 (2)当Uf≥UT后，这时在外电场的作用下，内电场被大大削弱，多子不断地向对方区域扩散，且进入空间电荷区后，一部分空穴会与负离子中和，一部分电子会与正离子中和，使空间电荷量减少，PN结变窄，如图5.10(a)所示。; 2) 外加反向电压UR促使PN结转化为截止状态 反向电压又称为反向偏置电压，简称反偏电压。当PN结外加反向电压UR(外电源的正极接N区，负极接P区)时，如图5.11(a)所示，外电场方向与自建电场方向一致，加强了漂移运动，削弱了扩散运动。这时在外电场的作用下，空间电荷量增加，PN结变宽，如图5.11(a)所示。 ; 图5.11 PN结的反向特性 (a)外加反向电压截止；(b)反向特性曲线; 因此，PN结处于反偏时，电阻是很大的。PN结的反向特性曲线如图5.11(b)所示。 IR也称为反向饱和电流IS。这是因为当温度不变时，少子的浓度不变，所以在一定的电压范围内，IR几乎不随反偏电压的增加而变大，见图5.11(b)。 ;5.2 半导体二极管 ;半导体二极管;图5.14 半导体二极管的结构及符号 (a)点接触型；(b)面接触型；(C)符号; 5.2.2 二极管的伏安特性曲线 二极管的电压—电流关系曲线称伏安特性曲线。此特性曲线就是PN结的正向、反向及反向击穿特性曲线。图5.15(a)和(b)分别是Si和Ge二极管的特性