电力电子技术离线作业试卷.doc

浙江大学远程教育学院 《电力电子技术》课程作业 姓名：应晓兵学 号：715236202001年级：15春学习中心：建德学习中心————————————————————————————— 第1章 1．把一个晶闸管与灯泡串联，加上交流电压，如图1-37所示 图 1-37 问：（1）开关S闭合前灯泡亮不亮？（2）开关S闭合后灯泡亮不亮？（3）开关S闭合一段时间后再打开，断开开关后灯泡亮不亮？原因是什么？ 答：（1）不亮；（2）亮；（3）不亮，出现电压负半周后晶闸管关断。? 2．在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠，可能是什么现象和原因？冬天工作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因？ 答：晶闸管的门极参数IGT、UGT受温度影响，温度升高时，两者会降低，温度升高时，两者会升高，故会引起题中所述现象。 3．型号为KP100-3，维持电流IH＝4mA的晶闸管，使用在如图1-38电路中是否合理？为什么？（分析时不考虑电压、电流裕量） (a) (b) (c) 图 1-38 习题5图 答：（a） 故不能维持导通 (b) 而 即晶闸管的最大反向电压超过了其额定电压，故不能正常工作 （c） Id=160/1=160AIH IT=Id=160A1.57×100=157A 故能正常工作 4．什么是IGBT的擎住现象？使用中如何避免？ 答：IGBT由于寄生晶闸管的影响，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），也可能是duce/dt过大（动态擎住效应），会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流，或增加控制极上所接电阻RG的数值，减小关断时的duce/dt，以避免出现擎住现象。 第2章 1．出图2-57中①～⑨各保护元件及VDF、Ｌd的名称及作用。（LJ为过流继电器） 图2-57 三相桥式整流电路的保护 答：（1）交流进线电抗器 限流、限du/dt和di/dt （2）压敏电阻 过压保护 （3）交流侧阻容保护? 过压保护 （4）桥臂电感? 限du/dt?(由元件换流引起）、di/dt （5）快熔 过流保护 （6）过压保护电容 限制关断过电压对元件的损害 （7）抑振电阻 防止L、C振荡，限制电容放电电流? （8）直流侧压敏电阻 直流侧过压保护 （9）过流继电器 过流时，继电器开路，保护主电路 （10）VDF续流二极管 为负载电路提供通路，过压保护 （11）Ld平波电抗器 防止直流电流波动（断流） 2．GTR、IGBT等过流保护中，为何要采用检测集射极电压作为保护基准？ 答： 如以测量集电极电流Ic为过流保护原则，当Icg测量误差为，则保护电路将在集电极电流为Icg+时才动作，但此时工作点已经移至线性放大区，到元件关断时已出现高损耗，导致GTR损坏。 如以测量集射极电压Uce作为过流保护原则，在相同的相对测量误差下，GTR工作点移动较小，元件关断时功耗只略有增加，可保证器件安全。 设基极电流Ib减小，当采用电流Ic测量的保护方式时，GTR关断时工作点已经进入线性放大区；当采用电压Uce测量保护时，GTR关断时工作点仍在饱和区，确保器件安全。 3．GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理如何？ ? 答：缓冲电路的功能包括抑制和吸收二个方面。下图为电路的基本结构。 关断过程：Cs与GTR集射极并联，利用Cs两端电压不同突变的原理延缓关断时集射极间电压Uce上升的速度，使Uce达最大值之前集电极电流Ic已变小，从而使关断过程瞬时功耗变小。R是限制GTR导通时电容的放电电流。 开通过程：Ls与GTR串联，延缓了集电极电流的增长速度，且当电流急剧增大时会在其上产生较大压降，使得集射极电压在导通时迅速下降。这样电压、电流出现最大值的时间错开，关断时功耗明显减小。 第3章 1、某电阻负载要求（0～24）V直流电压，最大负载电流Id＝30A，采用单相半波可控整流电路。如交流采用220V直接供电与用变压器降至60V供电是否都满足要求？试比较两种方案的晶闸管导通角、额定电压、额定电流、整流电路功率因数以及对电源要求的容量。 答：(1) 220V供电 （2）6