第五章光电子能谱分析新方案.pptVIP

第五章 光电子能谱分析; 概述——表面分析技术 光电子能谱分析的基本原理 光电子能谱仪 光电子能谱测定技术 光电子能谱分析的应用; 表面 表面分析技术 表面分析得到的信息;表面： 固体最外层的1~10个原子（＜10nm）的表面层； 吸附在表面上的原子、分子、离子等其他覆盖层。;表面分析的意义;表面分析技术 (Surface Analysis) 是对材料外层(the Outer-Most Layers of Materials (10nm)研究的技术。;X射线光电子能谱分析（X-ray photoelectron spectroscopy, XPS） 俄歇电子能谱分析 (auger electron spectroscopy, AES) 紫外光电子能谱分析(ultraviolet photoelectron spectroscopy, UPS) 二次离子质谱分析(secondary ion mass spectrometry, SIMS) 激光微探针质谱分析(laser microprobe mass spectrometry, LMMS) 电子探针分析(electron microprobe, EM ) ;物质表面层的化学成分（除氢元素以外） 物质表面层元素所处的状态 表面层物质的???态 物质表面层的物理性质 ;光电效应 光电子能谱分析基本原理 化学位移 伴峰和谱峰分裂;式中： hv——入射光辐射能量 A——中性原子 A*+——激发态离子 e-——发射出光电子;图5-2 原子的去激发过程; 根据爱因斯坦光电效应定律，光电效应能量关系可表示： ;元素分析鉴定、元素价态分析等。;光电子能谱分析基本原理;图5-11 标准XPS谱图示例 (a) Fe； (b) Fe2O3;;例如：;内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。 当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，电子的结合能增加；反之则结合能将减少。 因此当被测原子的氧化价态增加，或与电负性大的原子结合时，都导致其XPS峰将向结合能增加的方向位移。;三、伴峰和谱峰分裂;2.谱峰分裂;光电子能谱仪的结构 激发光源 光电子能量分析器 电子检测器 真空系统;XPS的仪器 Instrumentation for XPS; 电子能谱仪主要由激发光源、光电子能量分析器、探测和记录系统及真空系统等组成。几个部分组成。;XPS的仪器Instrumentation for XPS; 电子能谱仪通常采用的激发源有三种：X射线源、真空紫外灯和电子枪。商品谱仪中将这些激发源组装在同一个样品室中，成为一个多种功能的综合能谱仪。; 电子能量分析器是探测样品发射出来的不同能量电子的相对强度。 样品在X射线激发下发射出来的电子具有不同的动能，必须把它们按能量大小进行分离。;半球形电子能量分析器; 筒镜形电子能量分析器;检测目的——通过计数的方式测量电子的数目 检测器——单通道电子倍增器和多通道倍增器;电子能谱仪的真空系统有两个基本功能。;样品制备 样品处理 测定的注意事项;电子能谱仪原则上可以分析固体、气体和液体样品。;一、样品制备;2.块状样品;3.液体与气体样品;二、样品的预处理;三、测定的注意事项;2.能量轴的标定和校正;能 级;3.仪器操作条件的选择;元素的定性分析 元素的定量分析 固体表面相的研究 化合物结构的鉴定;1.XPS定性分析依据 XPS产生的光电子的结合能仅与元素种类以及所激发的原子轨道有关。特定元素的特定轨道产生的光电子能量是固定的，依据其结合能就可以标定元素； 从理论上，可以分析除H，He以外的所有元素，并且是一次全分析，范围非常广。;2.XPS定性分析方法;图5-11 标准XPS谱图示例 (a) Fe； (b) Fe2O3;2.XPS定性分析方法;XPS定性分析;影响谱峰强度的因素 仪器因素 光电离过程和光电离截面的影响 样品表面组分分布不均、表面污染 XPS的定量计算 本底扣除；理论模型法；灵敏度因子法 ; 化合物的结构与它的物理、化学性能有密切关联，X射线光电子能谱可以直接测量原子内壳层电子的结合能化学位移，来研究化合物的化学键和电荷分布。;1.玻璃表面的研究 ;2.水泥熟料中硅酸钙的水化表面 ;第六节 俄歇电子能谱分析 ;一、俄歇电子能谱分析;俄歇电子能谱分析特点：;1.俄歇电子 当原子内壳层的一个电子被电离后，外层电子填入内层电子空穴时，多余的能量以无辐射的过程传给另一个电子，并将它激发出来，最后使原子处于双电离状态，可以用下式表示： A?＋→A2++e-;俄歇电子表示方法：;2.俄歇电子产额;俄歇电子的能量一般只在几十到几百