制造与封装对器件电性的影响教程.pptVIP

制造与封装对器件电性的影响;1、反向击穿电压BVCBO、BVCEO和BVEBO 外延片制作的双极晶体管的反向击穿电压VB（一般指BVCEO或BVCBO）既与外延层电阻率ρc有关，结的曲率半径和也与表面状况等因素有关。当高阻集电区厚度Wc小于BVCBO所对应的势垒宽度xmB时，VB还与WC有关。所以提高晶体管反向耐压可采取提高ρc、WC，减小二氧化硅中表面电荷密度，采用圆角基区图形，深结扩散、甚至采用台面结构、扩展电极或加电场限制环等措施。BVCBO是共基晶体管在发射极开路时输出端C—B间的反向击穿电压。BVCEO是共射晶体管在基极开路时输出端C—E间的反向击穿电压。实际测试中的规定为：BVCBO——发射极开路，集电极电流为规定值时，C—B间的反向电压值。BVCEO——基极开路， 集电极电流为规定值时，C—E间的反向电压BVEBO——集电极开路，发射极电流为规定值时，E—B间的反向电压值。 ;;;（4）击穿特性差 击穿特性差有如下表现。 ① 管道型击穿图6。管道型击穿的特点是击穿曲线像折线或近似折线。它产生的原因是形成的基区光刻小岛，有p—n结尖峰、材料中有位错集中点或表面有破坏点等形成的基区局部穿通，硼扩前表面有n型杂质和灰尘沾污形成的基区反型杂质管道等。 ② 硬低击穿图7。硬低击穿的特点是击空特性硬，击穿电压低。产生的原因与管道型击穿类似。如集电结有缺陷集中点或局部损伤以至断裂；基区大面积穿通或存在大的反型杂质管道。 ③ 软击穿图 8。软击穿的特点是反向漏电大，没有明显的击穿点。产生原因与反向漏电大相同。 （5）饱和压降大图9（a）、（b）饱和压降大分两图说明。 图9（a）特点：曲线上升部分不陡或浅饱和区宽。原因：ρc、Wc过大，导致rcs过大或在低压下集电结势垒区载流子达不到极限散射速度；基区掺杂浓度很低时也会导致VCES增大。 图9（b）特点：低电压下曲线上升很缓慢，其它部分较正常，俗称“有小尾巴”。原因：烧结条件掌握不好，管芯与管座接触电阻rcbn过大。;图1 小注入时特性曲线密集 ;图3 基区宽（调）变效应 ;图4 沟道漏电 ; 图6 管道型击穿 图 7 硬 低击穿图 图8 软击穿;图9 （a） 饱和压降大 图9 （b） 饱和压降大;场效应晶体管（FET） 一、场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。场效应晶体管是一种电压控制器件。从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“单极型”晶体管。通常用“FET”表示。 二、场效应晶体管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MISFET）两大类。目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导（MOS）三层结构，缩写为MOSFET。;场效应管按导电沟道和工作类型可分为：; 另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好. （1）输出特性与转移特性 输出特性曲线（IDS－VDS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图10-1所示。在曲线中，工作区可分为三部分： I 是可调电阻区（或称非饱和区）； Ⅱ 是饱和区； Ⅲ 是击穿区。 转移特性曲线为IDS－VDS之间的关系。转移特性反映场效应管栅极的控制能力。由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（VGS＞0）并大于 0.5V时，转移特性曲线开始弯曲，如图10-2中正向区域虚线所示。这是由于栅极正偏引起栅电流使输入电阻下降。这时如果外电路无保护措施，易将被测管烧毁，而MOS场效应管因其栅极有SiO2绝缘层，所以即使栅极正偏也不引起栅电流，曲线仍向上升。 ;图10-1 n沟耗尽型MOSFET输出特性曲线 图10-2 n沟耗尽型MOSFET转移特性曲线 ;（2）最大饱和电流（IDSS ） 当栅源电压VGS=0、漏源电压VDS足够大时所对应的漏源饱和电流为最大饱和电流。它反映场效应管零栅压时原始沟道的导电能力。显然这一参数只对耗尽型管才有意义。对于增强型管，由于VGS = 0时尚未开启，当然就不会有饱和电流了。