介质薄膜(2011-4-13)试卷.ppt

介质薄膜材料; 要求： 1、初步认识介质薄膜材料； 2、了解介质薄膜的分类； 3、熟悉典型介质薄膜的制备、性质及 应 用； ; 第一节 概述 一、介质薄膜简介 介质薄膜以其优良的绝缘性能和介电性能 在半导体集成电路、薄膜混合集成电路以及一 些薄膜化元器件中得到广泛应用。 长期以来，人们对介质薄膜进行了较深入 研究。随着科学技术的发展，人们对某些介质 材料中的新效应，如压电效应、电致伸缩效 应、热释电效应、光电效应等的研究和应用更 为关注。; 现在所谓的介质薄膜，其含义已远超出单 纯的电容器介电膜的范围， 而是把它作为一类 重要的功能薄膜材料或复合材料。 二、相关概念 1、介电功能材料：是以电极化为基本电学特 征的功能材料。所谓电极化就是指在电场 （包括光频电场）作用下，正、负电荷中心 相对移动从而出现电矩的现象。电极化随材 料的组分和结构、电场的频率和强度以及温 度、压强等外界条件的改变而发生变化，所以;介电功能材料表现出多种多样的、有实用意 义的性质，成为电子和光电子技术中的重要 材料。 2、分类 （1）按化学分类：无机材料、有机材料、无 机和有机的复合材料； （2）按形态分类：三维（块体）材料、二维 （薄膜）材料和一维（纤维）材料； （3）按结晶状态：单晶、多晶和非晶材料； （4）按物理效应：见表1。;表1 介电功能材料按物理效应分类及其主要应用;三、本章主要内容 1. 下面介绍的介质薄膜材料指介电功能薄膜 材料。 2. 介质薄膜按物理效应也可分成很多类， 如电介质薄膜、铁电薄膜、压电薄膜和热释 电薄膜等。 3. 主要介绍电介质薄膜、铁电薄膜以及压电薄膜的制备、性质和应用。 ;第二节 电介质薄膜及应用;一、氧化物电介质薄膜的制备及应用 1、制备 氧化物介质薄膜在集成电路和其他薄膜器件中 有着广泛应用。 制备方法： （1） SiO2 ：除电子束蒸发、溅射等方法外，还 经常用硅单晶表层氧化的方法生长这种薄膜。（是一种反应扩散过程） SiO2薄膜的氧化生长是平面工艺的基础，氧化法 主要有3种：阳极氧化（室温）、等离子体阳极氧 化（200-800℃）和热氧化（700-1250 ℃）。;（2）Si3N4薄膜：在集成电路中起钝化作用。 最成熟的制备方法是CVD方法，例如用硅烷和氨热 分解形成Si3N4薄膜。 （3）其他用作电容器材料的氧化物介质薄膜： SiO、Ta2O5、 Al2O3薄膜等。 1）SiO的蒸气压很高，可以用通常的热蒸发方法 制备； 2） Ta2O5、 Al2O3主要用溅射等方法制备，也用低成本的阳极氧化方法制备。;2、应用： （1）用作电容器介质 在薄膜混合集成电路中，用作薄膜电容器介质的主 要有SiO、 SiO2 、Ta2O5以及Ta2O5- SiO（ SiO2 ） 复合薄膜等。这些薄膜用作薄膜电容器介质对其电 性能和稳定性均有较严格的要求。 按照应用场合，介质薄膜分为低损耗低介电常 数薄膜和高介电常数薄膜。在生产上采用的前一类 薄膜主要是SiO和SiO2 ，高介电常数薄膜是钽基质 薄膜。; 表 2 常用介质薄膜性质 一般情况下，若薄膜电容器的电容在10-1000pF范围，多选用SiO薄膜和Ta2O5- SiO复合介质薄膜；10-500pF多选用SiO2 介质；500-5000pF多选用Ta2O5介质。;（2）用作隔离和掩膜层 在半导体集成电路中，利用杂质在氧化物（主 要是SiO2）中的扩散系数远小于在Si中的扩散系 数这一特性， SiO2等氧化物常用作对B、P、 As、Sb等杂质进行选择性扩散的掩膜层。 此外，在进行离子注入掺杂时， SiO2等介质薄膜 还被用作注入离子的阻挡层。;（3）表面钝化膜 常用的钝化膜主要有：在含氯气中生长的SiO2 膜、磷硅玻璃（PSG）膜、氮化硅（ Si3N4）膜、 聚酰亚胺、半绝缘多晶硅（SIPOS）以及氮 化铝膜和三氧化二铝（ Al2O3）膜等。 作为钝化层，还常使用双层结构（如 SiO2- PSG、 SiO2- Si3N4、 SiO2- Al2O3和 SiO2- SIPOS等）和多层钝化结构。;（4）多层布线绝缘膜 实现多层布线技术的关键是要求每两层导线之 间有一层性能优良的绝缘层，而两层导线之间通过 在绝缘层上开的互联孔连接。 应用多层布线工艺的典型