集成电路设计二试卷.ppt

第二章 IC制造材料结构与理论;表2.1 集成电路制造所应用到的材料分类;半导体材料在集成电路的制造中起着根本性的作用 掺入杂质可改变电导率/热敏效应/光电效应 硅，砷化镓和磷化铟是最基本的三种半导体材料;2.1.1 硅 (Si);2.1.2 砷化镓 (GaAs);2.1.3 磷化铟 (InP);2.1.4 绝缘材料;金属材料有三个功能： 1. 形成器件本身的接触线 2. 形成器件间的互连线 3. 形成焊盘;半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成 肖特基型接触或欧姆接触 如果掺杂浓度较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触，构成肖特基二极管。 如果掺杂浓度足够高，以致于隧道效应可以抵消势垒的影响，那么就形成了欧姆接触(双向低欧姆电阻值)。 器件互连材料包括 金属，合金，多晶硅，金属硅化物;IC制造用金属材料;铝（Al）;铝合金;铜(Cu);金与金合金;金与金合金(续);两层与多层金属布线;0.35um CMOS工艺的多层互联线;IC设计与金属布线;2.1.6 多晶硅;多晶硅的制造技术;2.1.7 材料系统;半导体材料系统;半导体/绝缘体材料系统;2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 ; 2.2.1 半导体的晶体结构;2.2.2 本征半导体与杂质半导体;杂质半导体;P型半导体;N型半导体;2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 ;2.3.1 PN结的扩散与漂移;图2.3 平衡状态下的PN结;2.3.2 PN结型二极管;2.3.3 肖特基结二极管;2.3.4 欧姆型接触;2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 ;2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理;电流放大作用 ;2.5 MOS晶体管的基本结构与工作原理;工作原理：如果没有任何外加偏置电压，这时，从漏到源是两个背对背的二极管。它们之间所能流过的电流就是二极管的反??漏电流。在栅电极下没有导电沟道形成。如果把源漏和衬底接地，在栅上加一足够高的正电压，从静电学的观点看，这一正的栅电压将要排斥栅下的P型衬底中的可动的空穴电荷而吸引电子。电子在表面聚集到一定浓度时，栅下的P型层将变成N型层，即呈现反型。N反型层与源漏两端的N型扩散层连通，就形成以电子为载流子的导电沟道。 ;引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压VT。 往往用离子注入技术改变沟道区的掺杂浓度，从而改变阈值电压。;改变阈值电压 ; 根据阈值电压不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种器件。对于N沟MOS器件而言，将阈值电压VT＞0的器件称为增强型器件，阈值电压VT＜0的器件，称为耗尽型器件。 在CMOS电路里，全部采用增强型的NMOS和PMOS。;(a) VgsVT, Vds=0V;描述NMOS器件性能的理想表达式为： ;图2.10　MOS器件方程式中各几何项 ;图2.11　N型MOS管与P型MOS管的电压-电流特性; ;小结;小结;小结