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半导体物理教程
半导体物理与材料、器件 概论 ;第二章 材料性质和基本的PN结关系;2.2 热平衡下的半导体;Ec;;;费米函数的取值：;;;对于本征半导体，n0=p0,则得到：;;2.2.1 掺杂半导体;;重掺杂效应（Heavy doping effects）;;;2.3 电流;;;迁移率与哪些因素有关？;;;2.3.2 扩散电流(Diffusion current);;2.4 PN结;;2.4.2 PN junction的Boltzmann关系;;2.4.3 PN结的内建电势（Built-in potential);2.4.4 Poisson’s方程和空间电荷层SCL （Space-charge Layer) 的各种关系;对称的PN结空间电荷区图;;;;;2.4.5 单边突变结( );;;2.4.5 线性缓变结;;2.4.7 正向偏压下的少子注入;;;;典型数据: 考虑N区ND=P区NA=1016,假设ni2=2×1020,因此热平衡下的电子和空穴浓度大约为ni2/N=2×104.对于Va=0.5V,用Vt=0.026V,从上述两式得到np(w)=pn(0)=4.5×1012,如果Va增加0.1V,那么这两个值将增加50倍.
注意: 所用的ni和Vt值如果稍有不同,这两个值将变化很大.;2.5 复合;;;2.5.2 载流子在中性区的扩散;;2.6 小结
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