七章节 光电式传感器.pptVIP

第七章 光电式传感器;第七章 光电式传感器;7.1 光电效应;7.1 光电效应;7.1 光电效应;7.1 光电效应;7.1 光电效应;7.1 光电效应;7.1 光电效应;7.1 光电效应;7.1 光电效应;7.1 光电效应;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;7.2光电元件;工作原理: 将光电三极管接在如图7-16（b）所示的电路中，在正常情况下，集电结为受光结（相当于一个二极管）。集电极相对于发射极为正电压，而基极开路，则集电结处于反向偏置。 无光照射时，在外电路中有暗电流（此电流即为光电三极管集电极与发射级之间的穿透电流） ; 当光照射在光敏面（集电结）上时，光照激发产生的光生电子—空穴对增加了少数载流子的浓度，由于集电结处于反向偏置，使内电场增强。在内电场的作用下，光生电子漂移到集电区，在基区留下空穴，使基极电位升高，促使发射区有大量电子经基区被集电区收集而形成放大的集电极光电流 .;（2）光电三极管的基本特性 （a）光谱特性 ;（b）伏安特性 ;（c）光电特性 ;（d）温度特性 ;（e）时间常数 光电三极管由于存在发射结电容，加之载流子通过面积较大的基区时间较长，因此，它的时间常数比光电二极管要长，一般在10-5～10-4（s）之间。 （f）频率特性 指在恒定电压和光强幅度恒定条件下，入射光强度变化的频率与光电流（或相对灵敏度）的关系 .;;7.2.5光电池;1．光电池的结构与工作原理 ;原理: 当入射光子的能量足够大时，P区每吸收一个光子就产生一对光生电子—空穴对，在表面对光子的吸收最多，激发出的电子—空穴对也最多，越向内部越小，因此，光生电子—空穴对的浓度由表面向内部迅速下降，形成由表及里扩散的自然趋势。在PN结内电场的作用下，使扩散到PN结附近的电子—空穴对分离，电子被拉到N型区，空穴则留在P型区，使N区带负电，P区带正电。如果光照是连续的，经短暂的时间，新的平衡状态建立后，PN结两侧就有一个稳定的光电流或光生电动势输出。;2．光电池的主要特性 （1） 光谱特性 ;（2）光电池的频率特性 由于光电池受光照射产生电子—空穴对，光照 消失后电子—空穴对的复合，都需要一定的时间，因此，当入射光的调制频率太高时，光电池输出的光电流将下降。图7-24示出光的调制频率f和光电池相对输出电流I关系曲线。由图可看出，硅光电池具有较高的频率响应，硅光电池的工作频率上限约为数十kHZ，而硒光电池的频率特性较差，上限频率只有几kHZ。;;（3） 光电池的伏安特性 ;（4）光电池的光电特性 ;（5）硅光电池的温度特性 ;7.2.5光电耦合器件; 由于光电耦合器件是以光为传输信号的媒介，因此，它具有下列特点： （1）光电耦合器件实现了以光为媒介的传输，因而，保证了输入端和输出端之间的隔离，使输入端和输出端之间的绝缘电阻很高，一般都大于，耐压也很高，具有良好的隔离性。 （2）具有信号的单向传输和不可逆性。信号只能从发光源单向传输到受光器件，而不会可逆传输，传输信号不会影响输入端。 （3）发光源使用砷化镓发光二极管，它具有低电阻的特点，可以抑制干扰，消除噪声。 （4）响应速度快，可用于高频电路。 （5）结构简单，无触点，体积小，寿命长。 由于上述特点，光电耦合器件广泛用于电路隔离、电平转换、噪声抑制、无触点开关及固态继电器等场合。; 图7-28为4N28光电耦合器件的外型结构和常用符号，它的外型结构为双列直插式，其中3脚为空脚，6脚为三极管的基极引线，但在实际应用中很少使用。表7-3为4N28光电耦合器件的主要技术数据。;;7.3 光电传感器的应用; 灯光亮度自动控制器的电路框图如图7-29所示。它主要由环境光照检测电桥、放大器、积分器、比较器、过零比较器、锯齿波形发生器、双