常压等离子体聚合吡咯的荧光特性初探.PDFVIP

常压等离子体聚合吡咯的荧光特性初探 杨平 a，张菁 b，方忻生 b，郭颖 c a 东华大学材料科学与工程学院，上海，200051 b 东华大学理学院，上海，200051 c 东华大学纺织学院，上海，200051 摘要：我们用常压等离子体聚合的方法制备了具有荧光特性的聚吡咯。当以 270nm 和 347nm 的光作为激发光的时它会发出 375nm 和 401nm 的光，而且 375nm 的光由于出现 了自吸收现象而强度要比 401nm 的光要弱一些。我们用紫外－可见吸收光谱和分光光 度计对聚吡咯的荧光特性进行了研究。同时应用红外吸收光谱，拉曼光谱，裂解气相 色谱质谱联用仪对它的结构进行了分析，结果表明在常压等离子体聚合的过程中很好 的保持了吡咯的环状结构。 关键词：常压等离子体聚合，聚吡咯，荧光 一 引言 现在聚吡咯作为一种典型的共轭聚合物已经引起了越来越多人的注意，这主要是因为他具有很 高的导电性和热稳定性，而这正是电子和电光器件应用中所应具备的最关键的特性[1]。现在已经有 人提出将聚吡咯用于制作电容材料[2]，电子器件[3]，抗磨损涂层[3]，太阳能电池[4]和传感器[4]。 现在人们制备聚吡咯的方法主要有两种：电化学法和化学聚合的方法[6-12]。但是这两种方法在制 备的过程中都要使用引发剂或者是活性剂，从而造成了对聚合物的污染。而且用这种方法制备的薄 膜的力学性质一般很差，非常的脆，很难实现实际应用。现在等离子体聚合作为另外一种制备聚吡 咯的方法已经受到了越来越多的注意。在等离子体制备的过程中无需加入引发剂或者是表面活性剂， 从而消除污染，另外等离子体聚合的吡咯在热学，电学和光学性质上和上面两种聚合方式得到的聚 吡咯有很大的不同，从而有更加广泛的应用[13][14]。但是直接用等离子体聚合的薄膜虽然具有无针孔， 粘附性高等优点，但是他在制备大面积薄膜的时候均匀性要比上面两种方式要差一些。 现在人们用等离子体聚合吡咯的方法一般选择用低压等离子体，而且将研究的热点锁定在提高 聚吡咯的溶解性和导电性以实现电子应用上。我们课题组则选择利用常压等离子体聚合吡咯，并且 研究他的荧光特性。于传统的等离子体直接制备薄膜不同，我们选择将等离子体反应物通入到溶液 中，因为这样可能可以用传统的旋涂的方法制备一般等离子体制备的薄膜所不能实现的均匀的大面 积聚吡咯薄膜。 二 实验部分 实验装置如图一所示，流量为 200ml/min 的氩气作为载气通过冒泡法将单体通入反应器内，反 应完之后的单体通入到溶剂中。放电电极为交替的栅状电极，以石英玻璃作为介质，电极间距 2mm。 电源为南京苏曼低温等离子体电源，放电电压为 16.2kV，频率为 12kHz。放电时间为 5 分钟。 紫外吸收光谱为 PerkinElmer Lambada 35 紫外-可见吸收光谱仪，扫描范围为 240-700 cm-1。 它的发光特性我们用日本日立公司的 F-4500 FL 分光光度计，狭缝宽度为 5.0 nm，扫描速度为 1200nm/min. 红外吸收光谱及拉曼光谱采用尼高力 NEXUS670 红外-拉曼光谱仪，扫描波数范围 400-4000cm-1。首先将溶液在 600C 蒸干后和溴化钾混合做压片进行分析。 图一 常压等离子体聚合反应装置图 PGC-MS 分析是在岛津 QP-2010 裂解-气相色谱-质谱联用仪。 三 结果与讨论 3.1 荧光特性