课件15第六章：技术磁化理论4选编.pptVIP

第六章：技术磁化理论;6-7 反磁化过程、磁滞与矫顽力; 反磁化过程中，磁滞形成的根本原因是由于铁磁体内存在应力起伏、杂质及广义磁各向异性引起的不可逆磁化过程。所以磁滞与反磁化过程的阻力分布密切相关。 磁滞的大小取决于磁滞回线面积的大小，而面积又主要取决于矫顽力，矫顽力只与不可逆过程相连系。;一、不可逆壁移 我们前面在不可逆壁移磁化过程中分别推出了在应力与杂质作用下的 ，故利用 可得：;3)、软磁材料，要求Hc小； 永磁材料，要求Hc大。;二、反磁化核成长引起的磁滞 当样品已磁化到饱和时，反磁化畴依旧可能存在。 在大块材料中，局部的内应力与杂质造成这些局部小区域内的M与其他区域不一致，从而形成“反磁化核”，如果加一定强度的反向的磁场，则这些反磁化核将逐步长大而成为“反磁化畴”，产生畴壁，为反磁化过程中的壁移创造条件。 通过反磁化核发生与长大来进行壁移的过程有两个阶段： H下，反磁化核发生与长大形成反磁化畴， 长大后的反磁化畴进行可逆与不可逆壁移。;1、发动场理论（德棱W.Doring,1938年—反核长大问题） 反磁化核长大的条件，从能量上看，就是随着反磁化核的长大，其能量必须降低。 而由于反磁化核的长大（体积增大dV），必然引起：; 设反磁化核形状为细长的旋转椭球（长半径l，短半径d）则椭球的体积为：;NxMs：周围环境作用于反磁化核的Hd NxMscosα 、NyMscosα ：反磁化核自身的退磁场能量。 所以 反磁化核内Ms所受转矩L为：;讨论： H H0 时，反磁化核才开始长大。 铁磁体内并非所以磁化不均匀区域都能形成稳定反磁化核。只有d ds 的区域在H ≥ Hs 时才能使反磁化核长大而形成反磁化畴，并通过壁移完成反磁化过程。 3. 发动场理论的一个重要问题是反磁化核的起源与形成问题，这个问题直到1954年问题才解决。;2、反磁化核的来源与成核场 古得诺夫认为磁化核的形成有三种可能： a、参杂物粒子；b、材料内的片状脱溶体或晶粒间界面 c、晶体表面 他认为：只有大的参杂粒子才能产生反磁化核，这种核只有在强H下才能长大。最可能的起源是在晶粒间的界面或片状脱溶物的界面上。; 由于界面上的次级畴即为反核的起源，可假设这些次级畴按一定周期分布，每D2面积中只有一个次级畴，并将这些小畴视为旋转椭球体，长轴2l，短轴2d，则有：;所以： Hn 0时，反核形成的能量比没有反磁化时晶界上退磁能大，此时若无外场，则反核不会生成。 Hn 0时，晶界上退磁场能大，故会产生反核以降低能量。容易形成反磁化核。;3、由反磁化核生长阻滞决定的Hc 只有当外场H大于发动场Hs，反核才可能长大，然后再进行反磁化。在这类材料中，Hs大于不可逆畴壁位移的临界场H0，（ Hs H0 ），故Hc为：;的转动，其阻力来自各向异性（磁晶各向异性、形状各向异性、应力各向异性）。 1、单畴颗粒在磁晶各向异性作用下的磁矩转动 对于一个单畴颗粒的磁矩，有如下关系：;单畴颗粒由磁晶各向异性控制的矫顽力;外磁场与易轴平行时的磁滞回线;采用同样的方法，可分别计算?＝90°和?＝135°时的磁滞回线。如图所示; 在反磁化过程中，从Mr→a这一段是可逆的（即H →0，则M →Mr），一旦H＝H0时（即a点），转动就不可逆了，其M从a点急剧变到b点。在这种情况下Hc＝H0。;2 、单畴颗粒在形状各向异性作用下决定的矫顽力 形状各项异性来源于退磁能，在样品不同方向，退磁能不同，即在退磁状态下，沿不同方向取向时，能量不一样，表现出各项异性。;例：如图，以旋转椭球形为例，设Nl为长轴方向退磁因子， Nt为短轴方向退磁因子，则：;3、单畴颗粒在应力各向异性作用下的磁矩转动 考虑材料中磁晶各向异性强弱，且无形状各向异性，但由于有应力 σ ，故产生单轴各向异性：;4、小结： 1)、单畴颗粒在三种各向异性作用下的Hc公式 a、磁晶各向异性作用下;b、形状各向异性作用下;2)、可见，要提高Hc，必须设法提高至少一种各向异性 3)、Ms高的材料，其由形状各向异性决定的Hc最大，如Fe； K1大的材料，其由磁晶各向异性决定的Hc最大，如Co； λs大的材料，其由应力各向异性决定的Hc最大，如Ni； 所以，为获得高Hc，可利用其不同的特点。;四、缺陷对Hc的影响： 通过它的形状不同（体