电工电子技术第三版叶淬dg6案例.pptVIP

第6章 电子技术中常用半导体器件;6.1 半导体的基本知识;学习目的与要求;6.1 半导体的基本知识;2. 本征半导体和杂质半导体; 天然的硅和锗是不能制作成半导体器件的。它们必须先经过高度提纯，形成晶格结构完全对称的本征半导体。;＋4;＋4; 半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别： 金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中 则是本征激发下的自由电子和复合运动形成的空穴两种载流 子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，即自由 电子载流子和空穴载流子的运动方向相反。;(2)杂质半导体;＋4; 不论是N型半导体还是P型半导体，其中的多子和少子的 移动都能形成电流。但是，由于多子的数量远大于少子的 数量，因此起主要导电作用的是多数载流子。;3. PN结及其形成过程;动画演示; PN结形成的过程中，多数载流子的扩散和少数载流子的漂移共存。开始时多子的扩散运动占优势，扩散运动的结果使PN结加宽，内电场增强；另一方面，内电场又促使了少子的漂移运动：P区的少子电子向N区漂移，补充了交界面上N区失去的电子，同时， N区的少子空穴向P区漂移，补充了原交界面上P区失去的空穴，显然漂移运动减少了空间电荷区带电离子的数量，削弱了内电场，使PN结变窄。最后，扩散运动和漂移运动达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本稳定，即PN结形成。;4. PN结的单向导电性; PN结反向偏置时的情况; PN结的单向导电性;2. 半导体受温度和光照影响，产生本征激发现象而出现电子、空穴对；同时，其它价电子又不断地 “转移跳进”本征激发出现的空穴中，产生价电子与空穴的复合。在一定温度下，电子、空穴对的激发和复合最终达到动态平衡状态。平衡状态下，半导体中的载流子浓度一定，即反向电流的数值基本不发生变化。;5. PN结的反向击穿问题; 当PN结两边的掺杂浓度很高，阻挡层又很薄时，阻挡层内载流子与中性原子碰撞的机会大为减少，因而不会发生雪崩击穿。; 当PN结两端加的反向电压过高时，反向电流会继续急剧 增长，PN结上热量不断积累，引起结温升高，载流子增 多，反向电流一直增大下去，结温一再持续升高循环，超 过其容许值时，PN结就会发生热击穿而永久损坏。 热击穿的过程是不可逆的，所以应尽量避免发生。;6.2 半导体二极管;1. 二极管的基本结构和类型;2. 二极管的伏安特性;正向导通区和反向截止区的讨论;3. 二极管的主要参数;4. 二极管的应用举例;(2)二极管的整流作用;(3)二极管的限幅作用;半导体二极管工作在击穿区，是否一定被损坏？为什么？ ;I(mA);+;思索与回顾; 发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元件。发光二极管和普通二极管一样，管芯由PN结构成，具有单向导电性。; 光电二极管也称光敏二极管，是将光信号变成电信号的半 导体器件，其核心部分也是一个PN结。光电二极管PN结的结 面积较小、结深很浅，一般小于一个微米。;1.利用稳压管或普通二极管的正向压降，是否也可以稳压？;N; 根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电，就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与导电，即为单极型。;2. 双极型三极管的电流放大作用;晶体管实现电流放大作用的外部条件;结论; 三极管的集电极电流IC稍小于IE，但远大于IB，IC与IB的 比值在一定范围内基本保持不变。特别是基极电流有微小 的变化时，集电极电流将发生较大的变化。例如，IB由40 μA增加到50μA时，IC将从3.2mA增大到4mA，即：;3. 双极型三极管的特性曲线;UCE =0.5V;(2) 输出特性曲线;UBB; 当IB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致一定。当UCE超过1V以后，这些电子的绝大部分被拉入集电区而形成集电极电流IC 。之后即使UCE继续增大，集电极电流IC也不会再有明显的增加，具有恒流特性。;UCE / V;4. 双极型三极管的极限参数; 晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区的掺杂质浓度很高，集电区的掺杂质浓度较低，这样才使得发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，如果互换显然不行。;用万用表测试二极管好坏及极性的方法;用万用表测试三极管好坏及极性的方法; 若被测管为NPN三极管，让黑表棒接假定的集电极C ，红表棒接假定的发射极E 。两手分别捏住B、C两极充当基极电阻RB(两手不能相接触)。注意观察电表指针偏转的大小；?之后，再将两检测极反过来假定，仍然注意观察电表指针偏转的大小。;1.三极管起电流放大作用，其内部、外部条件分别要满足哪些？;6.5 单极型三极管;1、MOS管的基本结构;N+;MOS管电路的