电离杂质对载流子的散射案例.pptVIP

电离杂质对载流子的散射;要想提高器件沟道内载流子的速度，研究载流子的迁移率是关键，而与迁移率相关的一个很重要的因素就是载流子的散射几率。 半导体内部的载流子在一定温度下，即使不受电场作用，也在永不停息的做着无规则的热运动，带电载流子在运动过程中就不断地与这些带电的杂质或者正在热振动的晶格原子发生碰撞，载流子被碰撞后运动轨迹就发生了变化，从波的概念来说，这是发生了散射。;载流子在热运动的同时，还在不断的受到其他各方面的影响。对于绝大多数半导体材料来说，我们在考虑它们的散射机制的时候，往往只需要考虑影响半导体材料的主要散射原因，而忽略掉次要因素。像Si、Ge这类半导体，电离杂质散射和晶格散射是主要的，尤其是在低温或者低掺杂及中度掺杂的时候，至于温度升高，升高到一定程度以后，它们的作用会渐渐减弱，直至不??考虑，这时候一些其他类型的散射形式就出现了，占据主导地位，直接影响到半导体材料的散射程度。 ;散射形成的根本原因在于原子在不同能级之间发生了跃迁，跃迁的结果是从一个初态跃迁到另外一个末态，这个跃迁过程中会发生能量的改变，或者释能量或者吸收能量，并且改变的能量不是连续值，只能是某个特定值值成倍数增加或者减少。所以跃迁的本质涉及到量子力学中的散射理论。;从量子力学中的费米黄金法则开始，所有的散射机制都是由此产生，并且衍生出来的。半导体中载流子在运动过程中遭到散射的根本原因是周期性势场的被破坏。如果半导体内部除了周期性势场外，又存在一个附加势场的作用，就会使能带中的电子发生在不同k状态间的跃迁。例如，原来处于k状态的子，附加势场促使它有一定的几率跃迁到各种其它的状态k′，也就是说，原来沿某一个方向以v(k)运动的电子，附加势场可以使它散射到其他各个方向，改以速度v(k′)运动。也就是说，电子在运动过程中遭到了散射。 ;费米黄金定则：在微扰势Ｖ(x)的作用下电子由一个状态k(初态）向另一个状态k(终态）跃迁的跃迁几率W（k,k) （1） 和 分别是初态和终态电子的能量， 为参与散射的声子能量。上式中的 函数体现了跃迁中的能量守恒。 对于弹性散射， 。上式中 为跃迁矩阵元，由下式可知跃迁矩阵元取决于波函数和微扰势 V(x)。 （2） 对于与时间无关的V(x)，可将其展开为傅里叶级数 （3） 波矢为q的傅里叶系数A(q)可由下式得到，式中V为晶体体积。 （4） ;将（3）式和 代入式（1），得到 （5） 其中 ，称为重叠积分。;在常温下，浅施主和浅受主大部分处于电离状态。施主杂质电离后是一个带正电的离子，受主杂质电离后是一个带负电的离子。在电离施主或受主周围形成一个库仑势场，这一库仑势场局部地破坏了杂质附近的周期性势场，它就是使载流子散射的附加势场。当载流子运动到电离杂质附近时，由于库仑势场的作用，就使载流子运动的方向发生改变，以速度V接近电离杂质，而以V’离开，十分类似α粒子在原子核附近的散射。下图画出了电离杂质对载流子散射的示意图，它们是在散射过程中的轨迹是以电离杂质为一个焦点的双曲线。库仑散射一般并不改变电子的能量，是弹性散射。 ;早期对于电离杂质散射的研究中，E.Conwell和V.F.Weisskopf在1950年在Physical Review上发表的一篇文章。他们假设一个电子被一个离子杂质散射时几乎不受其他离子杂质的影响，并且利用洛伦兹玻尔兹曼统计方程，计算出了电离杂质散射的电阻率。