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 ;1.2.1 三极管的结构及工作原理 1.2.2 三极管的基本特性 1.2.3 三极管的主要参数及电路模型;1.2.1三极管的结构及工作原理; 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。;1. 三极管的电流分配与控制; 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。; 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:; 以上关系在图02.02的动画中都给予了演示。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。;2. 三极管的电流关系;(2)三极管的电流放大系数;因 ≈1, 所以 ? 1;1.2.2 三极管的基本特性; 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。; 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和uBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除uCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使uCE=const(常数)。; 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中uCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当uCE≥1V时，uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但uCE再增 加时，曲线右移很不明 显。曲线的右移是三极 管内部反馈所致，右移 不明显说明内部反馈很 小。输入特性曲线的分 区：①死区 ②非线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 ③线性区 ; 2.输出特性曲线; 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V uBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后uCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与uCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随uCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。（动画2-2） ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;3.三极管的开关特性;(2)三极管的开关时间; td, tr就是指基区电荷建立的时间,常用开通时间ton= td+tr来表示三极管从截止到饱和所需的时间；而ts, tf是指基区存储电荷消散所需的时间，常用关闭时间toff= ts+tf表示三极管从饱和到截止所需的时间。开通时间ton与关闭时间toff也总称为三极管的开关时间,它限制三极管的开关运用速度，不同的管子开关时间各不相同，一般开关三极管的开关时间在几十到几百纳秒;1.2.3 三极管的主要参数及电路模型; 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(uCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。; b.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ?; ②极间反向电流 a.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 ; 图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置;(2)交流参数 ①交流电流放大系数 a.共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?uCE=const; b.共