电工学08[第15章半导体二极管和三极管].pptVIP

第十五章 半导体二极管和三极管;§15 – 1 半导体的导电特性;（导体）; 由于半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。;（1）通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。;2。硅和锗的共价键结构;3。本征半导体的导电机理;本征半导体的导电机理; 空穴导电：空穴吸引邻近价电子来填补，这样 的结果相当于空穴的迁移，因此可以认为空穴 是呈正电性的载 流子，其定向运 动的方向与自由 电子相反，所形 成的电流称为空 穴电流。 ; 2、自由电子和空穴总是成对出现，同时又不 断相遇“复合”。 ; 例如，掺杂浓度为百万分之一，则载流子浓度约为： 电阻率为：; （1）掺杂浓度远大于本征半导 体中载流子浓度 。 （2）自由电子浓度远大于空穴浓度。;+4;结 论;一、 PN 结的形成;1、空间电荷区（耗尽层）中没有载流子。;二、 PN结的单向导电性;外电场削弱内电场，空间电荷区变窄。 有利于多子的扩散，形成较大正向电流，PN结呈低电阻。 在一定范围内，正向电流随外电压增加而增大。;2、PN结反向偏置;外电场加强内电场，空间电荷区变宽。 有利于少子的漂移，扩散很难，形成微弱反向（漂移） 电流，此时PN结呈高反向电阻。 电场强度一定时，反向电流只随温度变化。;结 论;一、基本结构;二极管实际结构;U/V;三、主要参数; 3. 反向峰值电流 IRM;四、二极管电路的分析方法及应用（图解法）;大交流信号:;整流作用：;钳位、隔离作用：;例1;例2;;R;例3;(1) VA= 10 v, VB = 0时，;进一步可求出IR、 IA、 IB 如下：;VA=VB= 5 v时，DA、 DB同时导通，此时;§ 15 – 4 稳 压 管;一、伏安特性及工作特点：;二、稳压管的主要参数;（5）最大允许耗散功率 PZM;ui;2、 稳压作用;一、基本结构;B;B;Ec;B;IB;B;三、特性曲线;（1???输入特性;IC(mA );IC(mA );IC(mA );（3）主要参数;工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为：;例：UCE= 6V 时：IB= 40?A, IC= 1.5mA； IB= 60 ?A, IC= 2.3mA。;② 集-基极反向截止电流 ICBO;③ 集-射极反向截止电流 ICEO;B;④ 集电极最大电流 ICM;⑤ 集-射极反向击穿电压 U(BR)CEO;⑥ 集电极最大允许功耗 PCM;IC;三极管的实际结构;第十五章