电工电子技术第4章 - 太原理工大学.pptVIP

第 4 章 常用半导体器件; 第4章 常用半导体器件 第5章 基本放大电路 第6章 集成运算放大器 第7章 直流稳压电源;第4章 常用半导体器件;第4章 常用半导体器件;4.1 PN结和二极管 ;⑶ 常用的半导体材料;⑵ 本征激发（热激发）;多余电子;P型半导体;4.1.2 PN结;→内电场;3.PN结的单向导电性;⑵ PN结反向截止;4.1.3 半导体二极管;半导体二极管图片;半导体二极管图片;2. 伏安特性;U;⑷理想二极管的开关特性;12V;3. 主要参数;4.1.4 二极管的应用;例;3. 二极管的检波作用;UA UB， DA先导通， DA起箝位作用，使UF=3V。;5. 二极管门电路 ;F;4.2 特殊二极管;3. 稳压二极管的参数; 图示电路中，DZ1的UZ1=8.5V，DZ2的UZ2=5.5V， 正向压降均为UD= 0.5V，试求图中输出电压Uo。;例;作业：;1. 符号和特性;4.2.3 发光二极管;;4.3 半导体三极管;半导体三极管图片;B;②外部条件 ;⑵ 晶体管的电流分配关系 ;②IC、IEIB ，IC与IB之比称为直流(静态)电流放大系数;IC;4.3. 2 特性曲线及主要参数; 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。;2. 输出特性;此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。;IC(mA );3. 主要参数;①集-基极反向电流ICBO;②集-射极穿透电流ICEO;B;①集电极最大允许电流ICM;IC;⑷ 频率参数;4.3.3 三极管的开关特性—— 非门（反相器）;y;图示电路中，晶体管均为硅管,β=30，试分析各晶体管的工作状态。 ;+10V 1kΩ IC;作业：;4.4 场效晶体管 (FET);4.4.1 绝缘栅场效应管;P沟道增强型MOS管结构图;UGS 0 感应出电子，出现以电子导电的N型导电沟道;⑶ 输出特性 ;12;I D(mA);1. 场效应管的特点 （1）在场效应管中，沟道是唯一的导电通道，导电过程只有一种极性的多数载流子，为单极型管； （2）场效应管是通过栅源UGS电压来控制电流ID，为压控元件； （3）场效应管输入电阻大，输出电阻高； （4）场效应管的跨导gm的值小； （5）漏源极可互换使用； （6）有较高的热稳定性。;2.场效应管的主要参数;⑶ 极限参数 ; 场效应管与晶体管的比较;4.4.3 场效应管的应用（开关作用）;第 4 章 结束