第一章半导体器件基础第二讲.ppt

小 结 本讲主要介绍了以下基本内容： PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、动态平衡 PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止 PN结的特性曲线： 正向特性：死区电压、导通电压 反向特性：反向饱和电流、温度影响大 击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿 PN结的电容效应：势垒电容、扩散电容;1.2.4 半导体二极管及其参数;;(1) 点接触型二极管;N;二、半导体二极管的伏安特性;(1) 正向特性; 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 ;3. 半导体二极管的主要参数;（2）交流电阻r d ：指二极管在其工作点Q（UDQ,IDQ)处的电压微变量与电流微变量之比。; (3) 最大整流电流IFM—; (5) 反向电流IS——;1.2.5 二极管的电路模型 ;2.定压降模型;3.分段线性模型;二极管的应用举例;(1) UA=0 V UB=0 V;(3) UA=0V UB=3V;如何判断二极管是否导通： 判断二极管工作状态时，可 先将二极管断开，然后比较 两极电位。如果处于正偏， 则二极管导通；否则截止。 电位差大的优先导通。 ;例2：写出图示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。;例3 ui = 2 sin ?t (V)，画出输出电压uo的波形 。;O;ui =5sin ?t (V)，画出输出电压uo的波形 。 二极管是理想的。;估算图示电路中流过二极管的电流ID和U， 二极管是理想的。;1.3 特殊二极管; 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管;稳压原理：;使用稳压管注意事项：在工作时反接， 并串入一只电阻。电阻的作用一是起限 流作用，保护稳压管；其次是当输入电 压或负载电流变化时，通过该电阻上电 压降的变化，取出误差信号以调节稳压 管的工作电流，从而起到稳压作用。;限流电阻R的选择;1. 稳压管的稳压区是其工作在（ ）。 A.正向导通区 B. 反向截止区 C. 反向击穿区;例1、如图，已知UZ=10V，负载电压UL（ ） （Ａ） 5Ｖ （Ｂ）10Ｖ （Ｃ）15Ｖ （Ｄ）20Ｖ;例2、已知ui = 6sinωt，UZ =3V，画输出波形。 ;1.3.2 变容二极管;1.3.3 发光二极管;;1.3.4 光电二极管;;半导体二极管;1.4 半导体三极管;三极管的分类：;1.4.1 三极管的结构;两个结：发射结和集电结 三个区：基区、集电区、 发射区 三个极：基极、集电极、 发射极;PNP型;常见三极管的外形结构;基区：最薄， 掺杂浓度最低;1. 三极管放大的外部条件;1.4.2 三极管的工作原理;3. 各电极电流关系及电流放大作用;1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。;I CN;4) 电流分配关系 ;定义：直流放大系数;共基直流电流传输方程：;1.4.3 三极管的特性曲线（共发射极接法）;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=常数;2. 输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=常数 ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;;温度对晶体管特性及参数的影响;1.4.4 三极管的主要参数; 2.极间反向电流; 3.极限参数;已知：ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 v，问： 当 UCE = 10 v 时，IC mA 当 UCE = 1 v，则 IC mA 当 IC = 2 mA，则 UCE v ;4. 有两只晶体管，一只的β=200，ICEO=200μA；另一只的β=100，ICEO=100μA，其他参数大致相同。你认为应选用哪种管子？为什么？;例2：有三只晶体管，分别为? 锗管β＝150，ICBO＝2μA；